Фотошаблон осень: Осень рамки, фоторамки, PNG, PSD,

Бейдж-Online

Популярные шаблоны бейджиков на этой неделе:

Школьный-1	Портфель
Школьный	Карандаши
Школьный-3	порыв ветра
Прописи	Школьный-2
Первоклашке	Скоро в школу
Учебники	org/ImageObject»> По нотам
Гиппократова чаша	Оттиск
Для мальчика	Для школы
Первоклассница	Это дети
Природный	Мыльные пузыри
Вишня	Котик
Первая осень	org/ImageObject»> уголки
Для девочки	Настроение
Творчество	Первоклашка
Кошка	Меня зовут
РЖД	Клен
Котэ	Магия
Подсолнух	Волны цвета
org/ImageObject»> Blue World	A-Линии
Пятерочка	Снова в школу 2017
такси	Авто
Спектр	Binary
Волонтер Сочи 2014	Оттеск
Летние цветы	Вверх
org/ImageObject»> Осень-2016	Сбербанк
Медицинский	зеленая фантазия
Медицина-1	Девочка
Ретро	Доктор
Медицина-4	Пряжка
Акварель-1	Девушка удивляется
org/ImageObject»> Вьюн	Заяц
Снова осень	VIP
Проекция-1	Черный цветок-3
Новый год	Краска улиц
Стремление	ПФР
Бизнес леди	Девушка
org/ImageObject»> Астра	Закругления
Попа	волшебство
Море	Медицина-3
Начальник	Мальчик
сердечки	Музыка
Праздник	Графика
Магнит	org/ImageObject»> Медицина-5
Летний	Сакура
Подсолнухи	Край
лепестки	Сияние космоса-2
X5RETAIL	уголки-2
Лето	Сияние космоса-1
Винтаж	org/ImageObject»> Повар
B-Линии	Карусель
Указатель	орнамент
Девушка шатенка	Для медика
Чемпион	Санки
Еда-1	Перипетии
Японика	org/ImageObject»> FIFA 2018
Бутылочки	Это море
Девушка брюнетка	осеннее пламя
Акварель-2	Цветы лета
Креатив	urban
Курсор	Призма
отблеск	org/ImageObject»> город
С Новым Годом	брызги
Помехи	Future
радиус	Арка
Шайба	Flat
Медицина-2	Зимняя ночь
Жара	ВКонтакте
org/ImageObject»> Овощи и фрукты	Это лето
Шелк	Орнаменты
FIFA 2018 Russia	Земля
Олененок	Ретро-1
Черный цветок-6	Печать
Черный цветок-1	Тропики
org/ImageObject»> город-2	Ночные огни
Грезы	город-1
Еда-2	Медицина-6
Черный цветок-2	Монетка
Сочи 2014	Компьютер
Гламурная девушка	Шеф повар
org/ImageObject»> Цветная бумага	Новогодний
Снеговик	Зимный вечер
Снежинки	Темная ночь
Гимнастка	Хоккей
Сноуборд	Фристайл
Бокс	FIFA 2k18

Шаблоны для Фотошопа Best-Host.

ru Рамки Клипарты Виньетки PSD Photoshop

Если вы занимаетесь фотографией и полиграфией, создаете интересные работы, Вам постоянно нужен качественный векторный клипарт бесплатно.

Вы должны знать что решение этих проблем совсем простое это зайти и заглянуть в раздел нашего сайта Best-Host.ru

На нашем сайте представлен высококачественный графический материал на любой вкус и цвет, для любого возрастного контингента людей и для любых творческих нужд.

Фотографы которые реально практикуют и люди которые просто увлечены фотоколлажами на нашем сайте найдут классные подборки шаблонов PSD мастеров фотошопа.
Шаблоны PSD помогут Вам запросто сделать из вашей дочери волшебную процессу, а из сына сказочного героя рыцаря в золотых доспех и возможно даже превратится в человека паука.
Огромная коллекция шаблонов запросто позволяет найти множество вариантов работ для успешной фотосъемки в детских садах или младших классах школ.

Для рекламодателей тоже найдется интересующий их фотоклипарт, при помощи которого они запросто создадут отличную презентацию для печати в журналы глянцевых изданий.

Веб мастера тоже могут найти для себя множество оригинальных работ векторных рисунков для украшения своих сайтов. Мы можем вам предложить скачать клипарт бесплатно.

Вы всегда сможете в любое для вас удобное время скачать векторный клипарт в необходимых количествах и по любой тематике. Заходите на наш сайт, и вы всегда найдете здесь для себя что-нибудь то интересное.

✱  ✱  ✱

На нашем проекте совершенно бесплатно и без регистрации можно скачать фотошаблоны PSD по любым тематикам для фотошопа. Это готовые бесплатные красивые рамки формата PSD в слоях для фотографий предназначенные детям и всей семьи. Романтические, прикольные, новогодние рамки поздравления с 8 марта, 23 февраля, заготовки шаблоны для фотомонтажа, шаблоны виньеток, календари, портфолио ученика 1 класса, обложки на DVD диски, меню буклеты, плакаты, расписания уроков, шаблоны визиток и костюмов, коллекции этикеток на бутылки. А также фотокниги, бланки грамот, дипломов, сертификатов, открыток, свадебных приглашений и многое другое. PSD исходники Фотошопа отличного качества и разрешения. Профессиональный фотоклипарт. Разнообразные скрап наборы для творчества. Все для программы Фотошоп кисти, стили, экшены и плагины. Красивый растровый клипарт на прозрачном фоне, а также векторный клипарт. Видео уроки по графическим редакторам работающие с растровыми и векторными изображениями. Лучшие программы софт для дизайнеров, а для создания качественного видео монтажа готовые футажи скачать бесплатно.

Как нарисовать осень. Мастер класс с пошаговым фото

Рисунок «Осень» хотя бы раз в жизни рисует каждый ребенок – в детском саду или школе эта тема часто присутствует на уроках изобразительного искусства, окружающего мира и литературного чтения. Мало кто из взрослых может оставаться равнодушным к яркости и разнообразию осенних красок, и многие из них хотят показать эту палитру детям, проводя мастер-класс с пошаговым фото или пошаговым построением схематического рисунка на классной доске.

Как нарисовать осень. Мастер класс с пошаговым фото

Перед тем, как нарисовать осенний пейзаж, нужно выбрать материалы,  которые будут взяты за основу работы. Мы предлагаем рассмотреть вариант рисунка, сделанного при помощи акварели и цветных карандашей на обычной, но достаточно плотной, белой бумаге (лучше всего использовать листы для акварели или эскизов).

Простым карандашом, как обычно, делаем набросок рисунка – эскиз. Наша композиция будет состоять из нескольких деревьев и небольшого деревенского домика. Интерес ей придает наличие холма, в центре которого мы и высаживаем главное дерево. За счет холма по-другому смотрится линия горизонта, передний и задний план.

Набросок карандашом осень

Осеннее небо наполняем цветом. Используя технику заливки акварелью. Эта техника используется в тех случаях, когда нужно получить неравномерный сплошной фон.

Этим же способом оформляем крону деревьев, находящихся на заднем плане. Они получатся размытыми и станут дополнением к основным деталям картины.

Заливка акварелью — задний план

Таким же образом заливаем цветом траву и линию кустарника, которая находится на заднем плане. Кустарник делаем более темным, чем траву. Дерево возле домика выделяем более светлым тоном краски, тем самым делаем на домике акцент. И он начинает привлекать внимание, хотя и располагается на одной из удаленных от края линий.

Заливка акварелью — передний план

Прорабатываем крупные стволы деревьев, придавая им объем при помощи игры света и тени: одну сторону ствола делаем более темной, чем вторую. Обозначаем тень, которую отбрасывают деревья и домик на траву, заполняем цветом тропинку.

Раскраска акварелью — шаг 1

Выделяем бордовым  и красным цветом кусты на заднем плане. Подчеркиваем темным цветом спуск в центральной части картины. Подчеркиваем рельеф ствола дерева на первом плане, выделяя его правую сторону более темным цветом.

Раскраска акварелью — шаг 2

Рисуем кусты вокруг домика, заполняем цветом его окошки. Подчеркиваем игру цвета в кронах деревьев с правой стороны картины, используя теплые осенние цвета. Раскрашиваем такими же теплыми цветами передний план картины.

Раскраска акварелью — шаг 3

Хорошо просушиваем картину, после чего цветными карандашами начинаем прорабатывать детали: листву, кустарники, расположенные вдалеке. Обращаем внимание на то, что, чем ближе к краю рисунка располагается объект, тем более яркими должны быть его детали. Дерево в центре – ключевой элемент пейзажа – должно получиться максимально выразительным и проработанным до мелочей. Рисуем улетающих птиц.

Раскраска карандашами

Готово!

Осенний пейзаж готов

Такая картина украсит любой кабинет или комнату.

Рисунок осень поэтапно

Мы узнали, как нарисовать осень, используя акварельные краски и цветные карандаши, распределяя элементы пейзажа по разноудаленным линиям.

Как нарисовать осень

Рисунок осень (идеи с фото)

Очень красивый рисунок с осенними листиками получается в смешанной технике рисования. Маркером рисуем контуры листиков и узоры на них. Раскрашиваем сами листиками нежными оттенками акварели.

Осенние листики

Контуры осенних листиков могут быть достаточно схематичными. Главное — аккуратно их закрасить.

Осенние листики

В смешанной технике рисования (маркер+акварель) можно нарисовать рисунок осень и девочка.

Осень и девочка

А в этом рисунке нарисован яркий осенний парк со скамейками и фонарями.

Рисунок «Осенний парк»

В этом осеннем рисунке часть деталей прорисована поверх краски карандашом. Эффекта полутонов для неба и поля можно достичь с помощью разного нажима восковых мелков или нанесения акварели на влажную бумагу. Уже потом на подсохший фон наносится рисунок акварелью.

Прорисовка неба и земли на рисунках

Осенний рисунок «Березки».

Осенний рисунок «Березки»

Детский рисунок «Осень с облаками.»

Детский рисунок «Осень с облаками»

Этот осенний пейзаж очень тонко передает осеннее настроение с тишиной в воздухе, но природа явно затаилась перед надвигающейся непогодой.

Осенний пейзаж «Тишина и предвкушение»

Прозрачный воздух, речка, запах прелых листьев и прощальные крики улетающих птичек.

Осенний рисунок «Предвкушение»

Еще один красивый осенний пейзаж акварелью.

Осенний пейзаж акварелью

Домик и ручей в осеннем парке.

Домик и ручей в осеннем парке

Рисунок «Осень с домиками».

Осенние домики на берегу ручья

Осенний лес.

Осенний лес

Посмотрите на видео как нарисовать осенний пейзаж с ребенком 6-9 лет:

Как нарисовать золотую осень (для взрослых):

Пейзаж гуашью «Осень»:

Еще одна популярная осенняя тема для рисования — фрукты. Смотрите на видео, как нарисовать яблоко, апельсин, вишенку и арбуз:

Осеннюю яблоньку можно не только нарисовать, но и оформить ее в виде большой красивой аппликации:

Очень многих интересует, как нарисовать веточку рябины:

Осенний рисунок на тему «Школа»

Осенью празднуются очень важные школьные праздники — День Знаний  и День Учителя, поэтому осенние рисунки часто имеют школьную тематику.

Осенний рисунок на тему «Школа»

Шаблоны и раскраски для рисования осенью

Осенний листик — 1Осенний листик — 2Осенний листик — 3Осенние листочки

Как нарисовать осень отзывы:

«Очень красиво! Хотелось бы еще раннюю осень, солнечную, с фрутами»)) (Даша)

«Красивая осень»!

Объяснение пленок — Принципы литографии, второе издание

В режимах пошагового повторения и пошагового сканирования для формирования рисунка пластины требуются маски без серьезных дефектов для достижения хороших выходов. Несмотря на то, что маски изготавливаются без каких-либо дефектов, которые приводят к нефункциональной головке, предотвращение осаждения частиц на масках при длительном использовании маски является проблемой даже в современных чистых помещениях. Чтобы избежать появления новых печатных дефектов, на фотошаблоны наклеиваются пленки. ¹ Пелликулы представляют собой тонкие (~ 1 мкм) полимерные пленки, натянутые поперек рамки, прикрепленной к маске (рис.7.16). Типичная высота рамки составляет 5–10 мм, при этом обычное значение составляет 6,35 мм, что соответствует толщине заготовки фотошаблона. Частицы, осажденные на пленке фотошаблона, падают на пленку или стеклянную обратную сторону маски и, следовательно, находятся на расстоянии нескольких миллиметров от хромовых элементов, на которых отображается изображение. При небольшой глубине резкости эти частицы не будут в фокусе.

Рис. 7.16 Поперечный разрез маски с прикрепленной пленкой.

При типичной глубине резкости менее 1 мкм ожидается, что миллиметровые зазоры значительно размывают изображение частиц.Требования к пленкам выходят за рамки размытия изображений дефектов в виде твердых частиц. Отступы пелликул должны быть достаточно большими, чтобы дефекты не снижали интенсивность света желаемого рисунка маски. Ранние теоретические исследования ² показали, что на интенсивность изображения не влияют величины, превышающие 10%, пока расстояние между пленками не меньше

, где M — уменьшение линзы, NA — числовая апертура линзы, а d — диаметр частицы на пленке.Более подробные теоретические исследования показали, что изображение защищено от частиц только наполовину, чем дает формула. (7.3). Например, технологические окна не уменьшаются значительно при расстоянии между пленками 6,3 мм и размером частиц <90 мкм. ³ Обычно пленку необходимо прикреплять только к хромированной стороне маски, поскольку стеклянная заготовка сама по себе служит той же цели, что и пленка, в отношении частиц.

Пленочные пленки обычно представляют собой полимеры, среди которых широко распространены нитроцеллюлоза и формы тефлона.Эти материалы должны быть механически прочными при отливке в виде тонких пленок, быть прозрачными и устойчивыми к радиационным повреждениям. Хорошее пропускание света через пленки — это сочетание прозрачности и оптимизации тонкопленочной оптики. ⁴ Зависимость пропускания через непоглощающую пленку от толщины пленки показана на рис. 7.17. Как можно видеть, прозрачность пленки максимальна при определенных толщинах, и пленки изготавливаются с толщиной, соответствующей таким максимальным значениям.В некоторых случаях на пленочные пленки наносят просветляющие покрытия. Прозрачность и устойчивость к радиационным повреждениям становятся все более сложной задачей, поскольку длина волны укорачивается. Переход к более коротким длинам волн всегда требовал некоторого уровня реинжиниринга пленки. Было возможно спроектировать и изготовить пленки с высоким коэффициентом пропускания на множестве длин волн; например, есть подходящие пленки для литографии i-line и KrF.

Рисунок 7.17 Расчетное пропускание через тонкую тефлоновую пленку AF в зависимости от толщины пленки для нормально падающего света с длиной волны 248,3 нм. Показатель преломления пленки 1,3.

Рамы Pellicle обычно изготавливаются из анодированного алюминия. В раме обычно просверливают небольшие отверстия, чтобы давление воздуха в пространстве, ограниченном маской и пленкой, оставалось равным давлению
окружающего воздуха. ⁵ Эти отверстия очень маленькие или включают обходные пути, чтобы эти воздушные пути не становились маршрутами для частиц, которые нарушили бы назначение пленки.Если поверхность рамки, прикрепленной к маске, не очень плоская, нанесение пленки на маску может вызвать искажение маски, что приведет к ошибкам совмещения и фокусировки. Были измерены наведенные ошибки регистрации порядка 100 нм. ⁶ Эти искажения часто не распознаются, потому что измерения регистрации сетки нитей выполняются до нанесения пленки во многих магазинах масок. Величина искажения зависит от податливости клея, используемого для приклеивания каркаса пленки к маске.Меньшее искажение маски происходит при использовании более плоских пленочных рамок и более гибких клеев.

Ссылки

1. V. Shea и W. J. Wojcik, «Pellicle cover for projection printing system», Патент США № 4,131,363 (1978).
2. А. Фламхольц, «Анализ параметров пленки для многократного проецирования», Proc. SPIE 470, стр. 138–146 (1984).
3. П-У. Ян, М. Йунг и Х. Гоу, «Возможность печати дефектов пленки в литографии DUV 0,5 мкм», Proc. SPIE 1604 , стр.106–117 (1991).
   
4. W.N. Partlo и W.G. Oldham, «Измерения пропускания пленок для глубокой УФ литографии», IEEE Trans. Полуконд. Производство. 4 (12), стр. 128–133 (1991).
   
5. Р. У. Мерфи и Р. Бойд, «Влияние перепада давления на пленочные фотошаблоны», Proc. SPIE 2322 , стр. 187–210, (1994).
   
6. W. Chen, J. Carroll , G. Storm, R. Ivancich, J. Maloney, O. Maurin и E. Soudeillet, «Искажение сетки нитей, вызванное пелликулами: экспериментальное исследование», Proc.SPIE 3546 , стр. 167–172 (1998).

Toppan Photomasks Inc. — Новости

Toppan Photomasks, Inc. (TPI), предпочтительный глобальный партнер в мире по производству фотошаблонов, объявила сегодня о дополнительных инвестициях в новое современное оборудование для массового производства передовых фотошаблонов. их существующее предприятие Toppan Photomasks Company Limited, Шанхай (TPCS). Завод TPCS является дочерней компанией Toppan Photomasks Inc., производящей фотошаблоны для полупроводников.Планируется, что установка нового передового оборудования начнется в апреле 2018 года, а начальное производство начнется с фотошаблонов 65/55 нм. Установка нового передового оборудования будет продолжаться поэтапно, завершение запланировано на осень 2018 года, а производство 28- и 14-нм фотошаблонов запланировано на первую половину 2019 года.

Мировой рынок полупроводников продолжает расти за счет повышения функциональности и миниатюризации информационных устройств, таких как смартфоны и оборудование для Интернета вещей (IoT), предполагаемый размер рынка в 2018 году составит около 50 триллионов иен.В Китае, а также на других рынках многие производители полупроводников создают дополнительные производственные мощности, создавая большой спрос на современные фотошаблоны. Удовлетворение этого спроса требует стабильной системы поставок, базирующейся рядом с местным производством полупроводников.

«Решение о расширении наших инвестиций в производство TPCS в Шанхае было принято для удовлетворения растущего спроса на местном китайском рынке», — сказал Тетсуро Уэки, директор Toppan Printing Co., Ltd., руководитель подразделения электроники. «Toppan Printing продолжает осуществлять инвестиции, которые укрепят наше передовое производство фотомаски в Китае и будут сочетаться с сильными сторонами наших производственных баз в Японии и на Тайване. По нашим оценкам, наш рыночный потенциал на азиатском рынке вырастет примерно до 4,5 млрд иен в 2020 финансовом году ».

«Внедряя передовое оборудование в TPCS, мы создаем в Китае производственные мощности для изготовления передовых продуктов наряду с нашими существующими стандартными продуктами, а также для операций по отталкиванию, требующих краткосрочной доставки», — сказал Терри Рассел, президент TPCS . «Мы также продолжаем производить полупроводниковые фотошаблоны нового поколения для 10 нм и выше, а также разрабатываем передовые продукты, такие как фотошаблоны EUV, которые, как ожидается, будут заимствованы из поколения 7 нм.Мы понимаем, что эти постоянные инвестиции необходимы для поддержания высокого уровня обслуживания наших клиентов и наших технических конкурентных преимуществ на быстрорастущих мировых рынках полупроводников », — сказал Майкл Г. Хадселл, генеральный директор Toppan Photomasks.

С тех пор, как Toppan Printing впервые занялась производством фотомаски в 1961 году, она является лидером отрасли благодаря своей приверженности передовым технологиям и возможностям поставок. В Китае компания TPCS начала производство в 1995 году и с тех пор сохраняет лидерство в области технологий и доли рынка.

О фотошаблонах Toppan

Toppan Photomasks, Inc. является 100-процентной дочерней компанией Toppan Printing Co., Ltd., многопрофильной глобальной компании с доходом более 14 миллиардов долларов США в 2016 году. Toppan Photomasks входит в группу компаний Toppan Group, производящих фотошаблоны. Как ведущий мировой поставщик фотомаски, Toppan Group управляет самой передовой и крупнейшей в отрасли сетью производственных предприятий и предлагает широкий спектр технологий для фотомаски, а также возможности исследований и разработок для удовлетворения все более сложных и расходящихся требований к продуктам и услугам в мире полупроводников. промышленность.Штаб-квартира Toppan Photomasks находится в Раунд-Роке, штат Техас. Для получения дополнительной информации посетите www.photomask.com.

О бизнесе фотошаблонов Toppan Printing

Toppan Printing — ведущий мировой производитель фотомаски. Компания поддерживает мировую полупроводниковую промышленность, от первоначального запуска процесса производства полупроводников до промышленного производства, предоставляя самые современные технологии фотошаблонов. Toppan — единственный в мире производитель фотошаблонов, своевременно предоставляющий продукцию высочайшего качества клиентам в Японии, США, Европе и Азии.Для получения дополнительной информации посетите www.toppan.co.jp.

Контакты:

Бад Каверли Toppan Photomasks, Inc. Телефон: 503-913-0694 Электронная почта: [email protected]

Энджи Келлен MCA по связям с общественностью Телефон: 408-829-0106 Эл. Почта: [email protected]

Осенняя коллекция Fall, Еженедельные скидки, Халява для информационных бюллетеней, Халява с фото-масками (Блог)

Осенняя коллекция Fall Into, Еженедельные скидки, Халява для информационных бюллетеней, Халява для фото-масок (Блог)

Щелкните здесь, чтобы просмотреть это сообщение в своем браузере

Новая коллекция @ Studio Manu

Давайте наслаждаться падающими листьями,

красочный мир, прекрасная осень

— самое любимое время года!

Промо-распродажа со скидкой 47% только на короткое время

Документы

включены 10 красивых текстурированных бумаг + 10 дополнительных бумаг, которые

модифицированные версии оригиналов. Все статьи вы можете увидеть в подробных превью в магазине.

Альфа

Включены две версии каждого кластера:

Поставляются как в уже оформленной версии, так и без рамки,

, чтобы вы могли дать волю своему творчеству и использовать рамку по собственному желанию

Предварительный просмотр кластеров без рамок:

и с уже добавленными фреймами:

Пример макета с использованием кластеров:

Сюда также включены 2 версии:

Каждая стопка бумаги входит в комплект.формат файла jpg и формат файла .psd.

В формате файла .psd фон отделен от элементов, они находятся на разных слоях

и вам довольно легко поставить рамку или картинку или что-нибудь еще

на ваш выбор между элементами и фоном.

Образец макета:

Доступен дополнительный комплект:

>>> Вдохновение

Мои CT Girlies создали эти классные страницы:

Джанет —

Ее родители в законе собирают урожай много лет назад:

Жаннетт —

потрясающих и красочных совершенных осенних страниц, которые она сделала!

>>> Победитель Sneak Peek

Я также объявил победителя полной коллекции в моем блоге.
Большое спасибо за прекрасные комментарии к опубликованному мной краткому обзору.

Следующий шанс — обязательно! Будьте на связи!

>>> Распродажа на этой неделе — до 64% ​​

Каждую неделю у меня всегда есть разные продукты на нелепой распродаже со скидкой не менее 50%
На этой неделе избранные продукты продаются до четверг, 20 сентября

Ознакомьтесь со всеми предложениями здесь:

(если они не появляются, просто нажмите кнопку поиска)

Не пропустите!

Винтажное Рождество — набор страниц

Наша цена: 2 $. 80

Рыночная цена: $ 6.60

экономия 58%

__________________________

Гармония — связка

Наша цена: 5.50 $

Рыночная цена: $ 17.99

экономия 69%

__________________________

CU Рулетка

Наша цена: $ 2.50

Рыночная цена: 5 долларов.50

экономия 55%

>>> Блог Халява

На этой неделе есть координационный

Маска Fall Into Autumn Free Photo

на моем

>>> Эксклюзивный информационный бюллетень Халява

Fall Into Autumn — Аддон

Вот мой подарок всем подписчикам рассылки.Большое спасибо за вашу постоянную поддержку.

Вы можете скачать Freebie, нажав на изображение или прямо под превью!

контакт: manu@manudesigns. com

EUV Маски Пробелы и проблемы

Semiconductor Engineering села, чтобы обсудить литографию в крайнем ультрафиолете (EUV) и технологии фотошаблонов с Эмили Галлахер, главным техническим сотрудником Imec; Гарри Левинсон, директор HJL Lithography; Крис Спенс, вице-президент по развитию передовых технологий в ASML; Банцю Ву, старший директор по развитию процессов в Applied Materials; и Аки Фуджимура, исполнительный директор D2S.Чтобы просмотреть первую часть этого круглого стола, щелкните здесь.

Рис. 1: (слева направо) Гарри Левинсон, директор HJL Lithography, Эмили Галлахер, главный член технического персонала Imec; Крис Спенс, вице-президент по развитию передовых технологий в ASML; Банцю Ву, старший директор по развитию процессов в Applied Materials; Аки Фуджимура, исполнительный директор D2S

SE: Современные фотошаблоны для литографии в крайнем ультрафиолете (EUV) потребуют некоторых функций для получения изображений. Обычно промышленность использует оптическую коррекцию приближения (OPC) на масках EUV, но многие из них не используют вспомогательные функции суб-разрешения (SRAF). Что мы можем ожидать от масок EUV в будущем?

Спенс : Для таких вещей, как криволинейные маски, они появятся в будущем. Я ожидал, что довольно скоро SRAF станут стандартом, чтобы сбалансировать маску. Если вы заполните пробелы с помощью SRAF, у вас будет более однородное поведение. Это помогает визуализации и контролю.И сейчас мы также разрабатываем маски, которые имеют гораздо больше однонаправленных макетов. Это наследие эпохи множественных паттернов. Люди не изменили свой стиль дизайна, когда перешли от глубокого УФ к УФ. Так что OPC, вероятно, немного проще, чем то, что у нас есть в глубоком УФ. Но по мере того, как мы начинаем снижать разрешение в инструментах 0.33 NA, мы довольно быстро его превзойдем.

SE: маски EUV отличаются от оптических масок. Оптические маски состоят из непрозрачного слоя хрома на стеклянной подложке. Напротив, маска EUV состоит из 40-50 чередующихся слоев кремния и молибдена поверх подложки, в результате чего получается многослойная стопка. На штабеле есть покрывающий слой на основе рутения, за которым следует поглотитель на основе тантала. Промышленность может производить маски EUV, но дефекты масок могут быть проблематичными. Какие здесь проблемы?

Рис. 2: Поперечное сечение маски EUV. В EUV свет падает на маску под углом 6 °. Источник: Луонг, В., Филипсен, В., Хендрикс, Э., Opsomer, K., Detavernier, C., Laubis, C., Scholze, F., Heyns, M., «Сплавы Ni-Al в качестве альтернативного поглотителя маски EUV», Appl. Sci. (8), 521 (2018). (Imec, KU Leuven, Гентский университет, PTB)

Wu : В целом, для EUV у нас есть несколько видов дефектов. Первый — фазовые дефекты. Этот в основном вносится из субстрата. После этапа многослойного осаждения искажение будет передаваться наверх через весь слой. Это приводит к фазовым дефектам. Если люди используют здесь оптический контроль, чувствительность составляет около 50 нм, 40 нм или 30 нм.Если вы используете EUV для формирования паттерна на половинном шаге 18 нм, похоже, что нам все еще нужны более строгие спецификации для такого рода контроля дефектов. Этот дефект относится к заготовке маски EUV. Остальные дефекты возникают в процессе изготовления. Это обычные или серьезные дефекты. Для этого из-за шаблонов EUV размеры основных элементов значительно меньше. Он меньше оптического. Для оптических масок минимальная основная основная характеристика составляет около 80 нм. Но для EUV это может быть как 50 нм, так и 40 нм для основной основной функции.Это означает, что требований к дефектам меньше. В этом случае проверка маски с использованием рисунка по сравнению с оптической является очень сложной задачей. Другой вид дефекта — это то, что я называю прогрессирующими дефектами. Для прогрессивного мы используем термин «дымка». Этот дефект создается во время использования или во время приложения. В EUV дефекты пластинчатого резиста легко могут попасть на маску, даже если они имеют блочный слой и пленку. Маска EUV легче загрязняется во время нанесения.

Levinson : У вас очень маленькое количество кубиков на сетке. Их может быть всего один, но обычно четыре или шесть. Таким образом, если у вас есть четыре кристалла на маске и вы получаете один серьезный дефект, вы теряете 25% выхода пластин для всей фабрики. Это очень значительный эффект только из-за одной частицы. За один-единственный кубик у вас большие проблемы. Это предъявляет к маске очень жесткие требования.

SE: Хорошая новость заключается в том, что дефекты на заготовках маски EUV сводятся к однозначным числам.Спрос на пустые маски EUV также высок, но цены на эти продукты относительно высоки. Есть предположения?

Levinson : Мы работаем в отрасли, где каждый всегда будет пытаться снизить затраты. Возвращаясь к проблемам, с которыми мы столкнулись, пытаясь сделать литографию EUV рентабельной, стоимость самой заготовки маски была довольно низкой в ​​списке проблем. Это есть, но не так важно, как другие проблемы. Например, инструменты экспонирования дорогие.Эффективные капитальные затраты весьма значительны, если вы не получите адекватную пропускную способность. Это гораздо больше, чем затраты на бланк.

SE: Заготовки масок EUV изготавливаются поставщиком заготовок. После изготовления заготовка отправляется поставщику фотомаски, где она изготавливается. Для создания рисунка элементов на фотошаблонах производители масок используют однолучевые электронно-лучевые инструменты, основанные на технологии луча переменной формы (VSB). Теперь промышленность разработала устройства записи многолучевых масок. Что дает многолучевость на вечеринке?

Fujimura : В целом считается, что многолучевая технология требуется для EUV при любом производственном использовании.Вы можете сделать это с помощью VSB, но это непрактично для повседневного использования. Основная причина этого заключается в том, что если вы хотите писать более мелкие объекты с помощью отдельных шаблонов EUV, и если вы хотите иметь SRAF, размеры объектов, которые вы должны напечатать на маске, намного меньше, чем то, что требуется сегодня. Это, в свою очередь, требует использования более медленного резиста. И он достаточно медленный, чтобы обычным писателям VSB приходилось выполнять несколько проходов, чтобы писать больше, чем обычно. Обычно они делают от двух до четырех проходов письма.Но можно сделать от четырех до восьми проходов, чтобы избежать сопротивления нагреву. Это может стать проблемой. Это в основном потому, что вам нужно писать более мелкие функции, а для этого требуются более медленные резисты. Люди обычно считают, что многолучевой режим необходим, потому что он не зависит от количества выстрелов. Писатели VSB линейны по отношению к количеству кадров, а многолучевые — нет. Они не зависят от количества выстрелов. Но это не причина, по которой маски EUV нужно писать многолучевыми. Большинство сегодняшних развертываний EUV выполняется с помощью очень простых SRAF.Но даже если у вас есть простые SRAF, такие как только прямоугольные SRAF, все равно есть небольшие размеры. Их нужно распечатать. В сегодняшней очень простой ситуации с SRAF у нас нет проблемы с подсчетом выстрелов. Но у нас есть проблема с медленным сопротивлением. А для масок EUV завтрашнего дня, где для получения окна процесса требуются более сложные OPC и, возможно, даже ILT (технология обратной литографии), это необходимо по обеим причинам.

SE: А как насчет объемов данных для масок EUV?

Fujimura : Существует проблема с объемом данных для масок EUV, поскольку маски EUV регулярно появляются в магазине масок.Например, на недавнем мероприятии eBeam Initiative мы говорили об отсутствии иерархии. В EUV каждая маска представляет собой полную маску прицельной сетки с точки зрения подготовки данных. Для 193i, если у вас 12 фишек на сетке, вы можете шагать и повторять их. Вы описываете это только один раз. Затем в описании работы к маскировочной машине вы говорите: «Вставьте это 12 раз». Вы больше не можете этого делать, когда говорите о масках EUV. Маски EUV необходимо корректировать по-разному, в зависимости от относительного расположения элемента в сетке. Возможность сделать одну маску EUV — не проблема. Сегодня существуют полные конструкции прицельной сетки с 193i. Так что ты справишься. Но если вы говорите о том, чтобы делать это для каждой маски, и у вас есть куча масок каждый день, теперь у вас есть проблема с инфраструктурой. OPC тоже занимает много времени. Если вы просто примените разрешение литографии, сетка OPC, которую вам нужно вычислить, будет в двенадцать раз больше. На самом деле это не так уж плохо в реальной жизни, потому что разрешение EUV не ограничивается только литографическим разрешением, как это было с 193i.Но все же разрешение, необходимое для вычисления OPC / ILT, больше для EUV. Инфраструктура данных, которая уже является проблемой сегодня, станет еще более серьезной проблемой, если это будет происходить постоянно.

SE: Для оптических масок требуется пленка. Пленка — это тонкая прозрачная мембрана, которая покрывает фотошаблон и предотвращает попадание частиц на маску. Для EUV-литографии также требуется пленка с другой структурой. Какие здесь проблемы?

Wu : Мы также много говорим о пленке.Пленка EUV отличается от оптической пленки. Край оптической пленки герметизируется. У нас там всего несколько недолгих дыр. У нас там тоже есть фильтр. Для EUV мы не можем использовать оптическую структуру пленки.

Галлахер : Мы все изначально предполагали, что пленки не будет. Поскольку каждый материал впитывает, концепция заключалась в том, что пленка вам не понадобится. Вы просто должны содержать сканер и обращение с маской в ​​чистоте, насколько это возможно. Тогда вам вообще не нужно беспокоиться о пленке.Итак, поначалу развитие пленки началось гораздо позже. А затем некоторые очень рано начали рассматривать пленку поликремния, даже в 1980-х и 1990-х годах. Это было заброшено. Затем сканер добился огромных успехов в очистке от частиц, но он не был идеальным. Создатели логики сказали: «Если бы у меня была одна частица, я мог бы умереть. Я не хочу рисковать. Нам нужно придумать пленку, если EUV будет работать ». Итак, если вы посмотрите на все проблемы ранжирования, пленки и дефекты маски поднимаются в иерархии проблем.Источник питания решается. Стохастик все еще существует. Итак, теперь есть пленка, но ее передача находится в процентиле середины 80-х. Это не очень надежно. Кроме того, есть некоторые отражения, поэтому добавляется дополнительная мембрана. Происходит потеря пропускной способности. Так что решение есть, но было бы неплохо, если бы оно было более прозрачным и надежным. Для крупносерийного производства, когда мощность становится еще выше, необходима реальная производительность. Итак, для более высокой передачи мы все ищем что-то еще.У Imec есть программа по производству пленок. У ASML есть программа. Другие об этом говорят. Наша технология основана на углеродных нанотрубках. Есть и другие.

Спенс : Гранулы необходимы для крупносерийного производства. Люди показывают какие-то решения. В них есть потребность. Это побудит их развиваться.

SE: Каков риск использования EUV-литографии без пленки? Разве мы не можем просто периодически чистить EUV-маску?

Галлахер : Маски дорогие. Риск есть. Вы все время печатаете вафли. Итак, кто знает, когда частица упадет на маску. Вы рискуете запустить огромное количество пластин. Простая очистка маски не помогает. Кроме того, вы ограничите срок службы маски. Вы не можете чистить его бесконечно.

Похожие статьи

Одноместный Vs. Мультипаттерн EUV

EUV Pellicle, время безотказной работы и устойчивость к проблемам Продолжить

Маска EUV Blank Battle Brewing

Toppan Photomasks, Inc.Внедрение передового оборудования для фотошаблонов на заводе

в Шанхае

ROUND ROCK, Техас, 23 января 2018 г. / PRNewswire / — Toppan Photomasks, Inc. (TPI), предпочтительный глобальный партнер в мире по производству фотошаблонов, объявила сегодня о дополнительных инвестициях в новое современное оборудование для массового производства. производство современных фотошаблонов на существующем предприятии Toppan Photomasks Company Limited, Шанхай (TPCS). Завод TPCS является дочерней компанией Toppan Photomasks Inc., производящей фотошаблоны для полупроводников.Планируется, что установка нового передового оборудования начнется в апреле 2018 года, а начальное производство начнется с фотошаблонов 65/55 нм. Установка нового передового оборудования будет продолжаться поэтапно, завершение запланировано на осень 2018 года, а производство 28- и 14-нм фотошаблонов запланировано на первую половину 2019 года.

Мировой рынок полупроводников продолжает расти за счет повышения функциональности и миниатюризации информационных устройств, таких как смартфоны и оборудование для Интернета вещей (IoT), предполагаемый размер рынка в 2018 году составит около 50 триллионов иен.В Китае, а также на других рынках многие производители полупроводников создают дополнительные производственные мощности, создавая большой спрос на современные фотошаблоны. Удовлетворение этого спроса требует стабильной системы поставок, базирующейся рядом с местным производством полупроводников.

«Решение о расширении наших инвестиций в производство TPCS в Шанхае было принято для удовлетворения растущего спроса на местном китайском рынке», — сказал Тетсуро Уэки, директор Toppan Printing Co., Ltd., руководитель подразделения электроники. «Toppan Printing продолжает осуществлять инвестиции, которые укрепят наше передовое производство фотомаски в Китае и будут сочетаться с сильными сторонами наших производственных баз в Японии и на Тайване.По нашим оценкам, наш рыночный потенциал на азиатском рынке вырастет примерно до 4,5 млрд иен в 2020 финансовом году ».

«Внедряя передовое оборудование в TPCS, мы создаем в Китае производственные мощности для изготовления передовых продуктов наряду с нашими существующими стандартными продуктами, а также для операций по отталкиванию, требующих краткосрочной доставки», — сказал Терри Рассел, президент TPCS . «Мы также продолжаем производить полупроводниковые фотошаблоны нового поколения для 10 нм и выше, а также разрабатываем передовые продукты, такие как фотошаблоны EUV, которые, как ожидается, будут заимствованы из поколения 7 нм.Мы понимаем, что эти постоянные инвестиции необходимы для поддержания высокого уровня обслуживания наших клиентов и наших технических конкурентных преимуществ на быстрорастущих мировых рынках полупроводников », — сказал Майкл Г. Хадселл, генеральный директор Toppan Photomasks.

С тех пор, как Toppan Printing впервые занялась производством фотомаски в 1961 году, она является лидером отрасли благодаря своей приверженности передовым технологиям и возможностям поставок. В Китае компания TPCS начала производство в 1995 году и с тех пор сохраняет лидерство в области технологий и доли рынка.

О Toppan Photomasks
Toppan Photomasks, Inc. является дочерней компанией, полностью принадлежащей Toppan Printing Co., Ltd., диверсифицированной глобальной компании с доходом более 14 миллиардов долларов США в 2016 году. Toppan Photomasks является частью группы фотомасков Toppan. компании. Как ведущий мировой поставщик фотомаски, Toppan Group управляет самой передовой и крупнейшей в отрасли сетью производственных предприятий и предлагает широкий спектр технологий для фотомаски, а также возможности исследований и разработок для удовлетворения все более сложных и расходящихся требований к продуктам и услугам в мире полупроводников. промышленность.Штаб-квартира Toppan Photomasks находится в Раунд-Роке, штат Техас. Для получения дополнительной информации посетите www.photomask.com .

О бизнесе фотошаблонов Toppan Printing
Toppan Printing — ведущий мировой производитель фотошаблонов. Компания поддерживает мировую полупроводниковую промышленность, от первоначального запуска процесса производства полупроводников до промышленного производства, предоставляя самые современные технологии фотошаблонов. Toppan — единственный в мире производитель фотошаблонов, своевременно предоставляющий продукцию высочайшего качества клиентам в Японии, США, Европе и Азии.Для получения дополнительной информации посетите www.toppan.co.jp .

• Названия компаний, продуктов и услуг, представленные в этом пресс-релизе, являются товарными знаками или зарегистрированными товарными знаками соответствующих компаний.
• Информация в этом пресс-релизе актуальна на дату публикации и может быть изменена без предварительного уведомления.

Контакты:
Бутон Каверли	Энджи Келлен
Toppan Photomasks, Inc.	MCA по связям с общественностью
Телефон: 503-913-0694	Телефон: 408-829-0106
Электронная почта: [электронная почта защищена]	Электронная почта: [адрес электронной почты защищен] apr.com

ИСТОЧНИК Toppan Photomasks, Inc.

Ссылки по теме

http://www.photomask.com

Печать Toppan укрепляет бизнес фотошаблонов

Toppan Printing Co., Ltd. (далее Toppan Printing; головной офис: Chiyoda Ward, Tokyo; президент и директор-представитель: Shingo Kaneko) инвестирует в новое оборудование для массового производства современных фотошаблонов на заводе Toppan Photomasks Company Limited, Шанхай (далее TPCS; головной офис: Шанхай, Китай; председатель и представитель директор: Терри В. Рассел), производственной дочерней компании Toppan Photomasks Inc. (далее TPI; головной офис: Техас, США; генеральный директор: Майкл Г. Хадселл), которая производит фотошаблоны для полупроводников. .К осени 2018 года будет внедрено и установлено самое современное оборудование.
Производство фотошаблонов 65/55 нм планируется начать в апреле 2018 года, а производство фотошаблонов 14 нм будет запущено в течение 2018 финансового года.

Toppan Photomasks Company Limited, Шанхай

— Фон

Мировой рынок полупроводников продолжает расти благодаря расширенной функциональности и дальнейшей миниатюризации таких устройств, как смартфоны и оборудование IoT.В 2018 году рынок оценивается примерно в 50 триллионов долларов. В частности, в Китае многие производители полупроводников создают производственные базы, что создаст высокий спрос на современные фотошаблоны и потребность в стабильных системах поставок, основанных на местном производстве.
С момента входа в бизнес по производству фотомаски в 1961 году, Toppan Printing заняла важное место в этом секторе, предлагая передовые технологии и возможности поставок. В Китае компания TPCS начала производство в 1995 году и установила производственное оборудование для фотошаблонов 90 нм в 2015 году, что способствовало удержанию Toppan лидирующей доли рынка.
Внедрение передового оборудования в TPCS теперь позволит создать интегрированную производственную систему как для передовых продуктов, так и для существующих стандартных продуктов, а также для замены защитной пленки (пленки), что требует коротких сроков выполнения заказа.

— Будущие цели

Благодаря этим инвестициям Toppan Printing расширит передовые возможности производства фотомаски в Китае, объединит сильные стороны с производственными базами в Японии и на Тайване и обеспечит целевые продажи примерно в 4 раза.5 млрд на азиатском рынке в 2020 году.
Мы продолжим производить полупроводниковые фотомаски следующего поколения для узла 10 нм и выше, разрабатывать передовые продукты, такие как фотошаблоны EUV, которые, как ожидается, будут заимствованы из поколения 7 нм, и поддерживать наше конкурентное преимущество в быстро развивающемся мире, связанном с полупроводниками. рынок.

＊ Названия компаний, продуктов и услуг, представленные в этом пресс-релизе, являются товарными знаками или зарегистрированными товарными знаками соответствующих компаний.
＊ Информация в этом пресс-релизе актуальна на дату публикации и может быть изменена без предварительного уведомления.

Репетитор по литографии / Эксперт по колонкам — Крис Мак

Пятнадцать лет я вел ежеквартальную колонку в журнале Microlithography World (MLW) под названием The Lithography Tutor . (Колонка была переименована в «Эксперт по литографии» на четвертом курсе чисто из маркетинговых соображений, но я все еще называю ее колонками «наставника».Кончина MLW положила конец этим колонкам, но они послужили очень важной цели для меня: они стали ядром моего учебника «Фундаментальные принципы оптической литографии». Таким образом, хотя текстовая книга содержит почти всю информацию в первых 59 столбцах (в более полной, обновленной, последовательной и организованной форме), вот исходные столбцы для всех, кому они нужны. Литография небольшими кусками.

Tutor 1 (январь 1993 г., стр. 27-28), Формирование аэрофотоснимка

Tutor 2 (апрель 1993 г., стр.25-27), Формирование аэрофотоснимка, часть 2

Tutor 3 (июль 1993 г., стр. 23-24), Формирование аэрофотоснимка, часть 3

Tutor 4 (октябрь 1993 г., стр. 17-18), Формирование аэрофотоснимка, часть 4

Tutor 5 (Зима 1994, стр. 21-23), Позитивные фоторезисты — Экспозиция

Tutor 6 (Весна 1994, стр. 22-24), Стоячие волны в фоторезисте

Tutor 7 (лето 1994, стр. 23-25), Swing Curves

Tutor 8 (осень 1994, стр.22-24), проявка фоторезиста

Tutor 9 (Зима 1995 г., стр. 24-26), Разработка фоторезиста (продолжение)

Tutor 10 (весна 1995 г., стр. 20-21), глубина фокуса

Tutor 11 (осень 1995, стр. 23-24), Depth of Focus, часть 2

Tutor 12 (зима 1996 г., стр. 24-25), Оптимизация числовой апертуры и частичной когерентности

(Примечание: с весны 1996 г. колонка была переименована в «Эксперт по литографии»)

Tutor 13 (весна 1996 г., стр.22-23), эффекты оптического приближения

Tutor 14 (лето 1996 г., стр. 20–21, 28), «Эффекты оптического приближения», часть 2

Tutor 15 (осень 1996 г., стр. 23-24), Эффекты оптического приближения, часть 3

Tutor 16 (Зима 1997 г., стр. 16-17), Резолюция

Tutor 17 (весна 1997 г., стр. 21-22), Литография на светоотражающих подложках

Tutor 18 (лето 1997 г., стр. 29-30), Антибликовые покрытия

Tutor 19 (осень 1997 г., стр.21-22), Влияние числовой апертуры и частичной когерентности на кривые качания

Tutor 20 (Зима 1998 г., стр. 18-20), Кривые поворота и окно процесса

Tutor 21 (весна 1998 г., стр. 18-20), изофокальное смещение

Tutor 22 (лето 1998 г., стр. 23-24), Pitch: The Other Resolution

Tutor 23 (осень 1998 г.), The Natural Resolution

Tutor 24 (Зима 1999 г., стр. 11-12), Линейность маски и коэффициент увеличения ошибки маски

Tutor 25 (весна 1999 г., стр.20-21), Поглощение и отражение: создание подходящего фоторезиста

Tutor 26 (лето 1999 г., стр. 16-17), Определение и измерение критических размеров фотошаблона

Tutor 27 (осень 1999, стр. 18-20), Подробнее о коэффициенте увеличения ошибок маски

Tutor 28 (Зима 2000 г., стр. 21-23), Влияние сопротивления на коэффициент увеличения ошибки маски

Tutor 29 (Весна 2000, стр. 25-26), укорочение конца строки

Tutor 30 (лето 2000 г., стр.26-28), закругление углов и круглые контакты

Tutor 31 (осень 2000 г., стр. 25, 30), Укорочение концов строки, Часть 2

Tutor 32 (Winter, 2001), Использование нормализованного логарифмического наклона изображения

Tutor 33 (Весна, 2001 г.), Использование нормализованного логарифмического наклона изображения, часть 2

Tutor 34 (Summer, 2001), Использование нормализованного логарифмического наклона изображения, часть 3

Tutor 35 (осень, 2001 г.), Использование нормализованного логарифмического наклона изображения, часть 4

Tutor 36 (Winter, 2002), Использование нормализованного логарифмического наклона изображения, часть 5

Tutor 37 (май 2002 г.), Использование нормализованного логарифмического наклона изображения, часть 6

Tutor 38 (август 2002 г.), Параметры процесса и широта процесса

Tutor 39 (ноябрь 2002 г.), Влияние фазовых ошибок на маски фазового сдвига

Tutor 40 (февраль 2003 г.), Влияние фазовых ошибок на маски с фазовым сдвигом, часть 2

Tutor 41 (май, 2003 г.), Технологии повышения разрешения

Tutor 42 (август 2003 г.), внеосевое освещение

Tutor 43 (ноябрь 2003 г.), Scattering Bars

Tutor 44 (февраль 2004 г.), Рэлеевская глубина фокуса

Tutor 45 (май 2004 г.), иммерсионная литография

Tutor 46 (август 2004 г.), Влияние фазовых ошибок на маски с фазовым сдвигом, часть 3

Tutor 47 (ноябрь 2004 г.), Глубина резкости и маска с переменным фазовым сдвигом

Tutor 48 (февраль 2005 г.), Разработка нижнего антиотражающего покрытия

Tutor 49 (май 2005 г.), Нижние просветляющие покрытия для получения изображений с высокой числовой апертурой

Tutor 50 (август 2005 г.), Смерть аэрофотоснимка

Tutor 51 (ноябрь 2005 г.), смещение по горизонтали и вертикали (H-V)

Tutor 52 (февраль 2006 г.), смещение по горизонтали и вертикали (H-V), часть 2

Tutor 53 (май 2006 г.), Распространение и разрешение

Tutor 54 (август 2006 г.), Распространение и разрешение для химически усиленных резистов

Tutor 55 (ноябрь 2006 г.), Pattern Collapse

Tutor 56 (февраль 2007 г.), Line Edge Roughness, часть 1

Tutor 57 (май 2007 г.), Line Edge Roughness, часть 2

Tutor 58 (август 2007 г.), Line Edge Roughness, часть 3

Tutor 59 (ноябрь 2007 г.), Оптическое поведение чешуек

Tutor 60 (февраль 2008 г.), средний фокус

Tutor 61 (май 2008 г.), Характеристики маски: легче не становится

Tutor 62 (август 2008 г.), Измерение шероховатости кромок линии: колебания погрешности

Tutor 63 (ноябрь 2008 г.