3D стоки: 3D модели для профессионалов :: TurboSquid

{{l10n_strings.DRAG_TEXT_HELP}}

{{article.content_lang.display}}

{{l10n_strings.AUTHOR_TOOLTIP_TEXT}}

Добавить область дренажа фитиля

Область вертикальных дренажных фитилей может быть определена с помощью опции «Добавить область дренажа фитиля».

Для добавления дренажной области фитиля:

1. Выберите «Добавить область слива фитиля» в подменю «Отводы фитиля» меню «Грунтовые воды».

ПРИМЕЧАНИЕ: фитинги можно определить только при выполнении анализа консолидации, зависящей от времени. Если параметр «Добавить область слива фитиля» отключен, необходимо включить на флажке «Анализ консолидации, зависящей от времени» в настройках проекта, чтобы включить опцию слива фитиля.

2. Вы увидите диалоговое окно «Свойства дренажа фитиля».Вы можете указать этап установки фитилей и свойства фитилей. Для описания свойств дренажного фитиля см. см. документ Settle3 Theory.

3. Когда вы закончите ввод свойств, нажмите OK. Вам будет предложено ввести многоугольник, определяющий область слива фитиля. На виде в плане введите вершины многоугольника, определяющего границу фитиля. область слива, как описано в разделе «Ввод координат».

4. Область слива фитиля должна быть закрыта. Чтобы закрыть границу многоугольника, после ввода всех вершин щелкните правой кнопкой мыши и выберите Закрыть, или вы можете ввести c и Enter в командной строке. линия. Это автоматически и правильно закрывает многоугольник и избавляет вас от необходимости повторно вводить первую вершину для завершения границы. Если активирована опция «Привязка», вы также можете закрыть многоугольник с помощью привязки. в первую вершину после того, как введены все остальные вершины.

5. Область слива фитиля будет добавлена ​​к модели и отображена как на виде в плане, так и на трехмерном виде, как описано ниже.

Дисплей дренажей для фитилей

Когда вы добавляете в модель область слива фитиля, отводы фитиля будут отображаться в виде набора точек на границе области слива фитиля в соответствии с рисунком слива (треугольный или квадратный) и расстоянием отвода, введенным в диалоговом окне «Свойства слива фитиля». .

В 3D виде длину фитилей можно отобразить в 3-х измерениях, установив флажок «Показать сливы фитилей» в диалоговом окне «Параметры отображения».

Однако обратите внимание на следующее:

• Отображение схемы дренажа фитиля представляет фактическую схему, расстояние между дренажами и длину дренажа, но НЕ обязательно отображает фактическое расположение дренажей отдельных фитилей.

• Механизм анализа Settle3 НЕ использует отдельные местоположения стока фитиля (отображаемые на модели), а только средние свойства стока фитиля по всей площади области стока фитиля.

Патент США на способ изготовления трехмерных дренажных систем с гибридным штабелированием для оптимальной трехмерной логической схемы Патент (Патент № 11 139 213, выданный 5 октября 2021 г.)

В данной заявке испрашивается приоритет и преимущество даты подачи предварительной заявки на патент США сер. № 62/934702, поданной 13 ноября 2019 г., указанная заявка полностью включена в настоящий документ посредством ссылки.

Это раскрытие относится к интегральным схемам и производству трехмерных микроэлектронных устройств.

Аспекты настоящего раскрытия предоставляют способы для трехмерного изготовления множества областей истока / стока в различных пакетах трехмерных транзисторов. То есть одновременно можно изготавливать несколько плоскостей. Здесь описаны способы изготовления, позволяющие создать любую последовательность трехмерных источников / стоков для настройки логической схемы для данной трехмерной логической схемы или конструкции.

Первый вариант осуществления описывает способ формирования множества наборов наноканалов на подложке, каждый пакет наноканалов включает в себя множество наноканалов, параллельных плоскости поверхности подложки и выровненных вдоль второй плоскости, перпендикулярной поверхности. плоскость подложки, в которой каждый наноканал стопки разнесен друг от друга на другой наноканал стопки, причем каждый наноканал имеет противоположные концы, при этом множество стопок наноканалов покрыто наполняющим материалом, удаление заполняющего материала по меньшей мере из одного первого набора наноканалов, в то время как по меньшей мере один второй пакет наноканалов остается покрытым заполняющим материалом, формируя первые области истока / стока на противоположных концах по меньшей мере одного первого набора наноканалов посредством процесс эпитаксиального роста, включающий первую легирующую добавку или вторую легирующую добавку, нанесение защитной пленки на первые области истока / стока посредством первого процесса селективного осаждения, при котором защитная пленка откладывается на Первые области истока / стока без нанесения защитной пленки на другие поверхности в направлении сверху вниз, удаляя заполняющий материал из первой части противоположных концов по меньшей мере одного второго набора наноканалов, в то время как один или несколько наноканалов -каналы, расположенные под первой частью, остаются закрытыми, образуя вторые области истока / стока на первой части посредством процесса эпитаксиального роста, включая первую или вторую легирующую добавку, осаждение защитной пленки на вторых областях истока / стока посредством второго процесса избирательного осаждения который наносит защитную пленку на первые области истока / стока без нанесения защитной пленки на другие поверхности в направлении сверху вниз, удаляя наполняющий материал со второй части противоположных концов второго набора наноканалов, так что противоположные концы по меньшей мере одного дополнительного наноканала открыты, образуя третьи области истока / стока на втором участке за счет процесса эпитаксиального роста, включая первый легирующая добавка или вторая легирующая добавка и снятие защитной пленки.

Второй вариант осуществления описывает способ изготовления трехмерного пакетного инвертора, при этом способ включает формирование множества наборов наноканалов на подложке, причем каждый пакет наноканалов включает в себя множество наноканалов, параллельных плоскости поверхности подложки. и выровнены вдоль второй плоскости, перпендикулярной плоскости поверхности подложки, при этом каждый наноканал разнесен друг от друга на расстоянии друг от друга, при этом каждый наноканал имеет противоположные концы, при этом множество стопок наноканалов покрыто наполняющий материал, удаляющий наполняющий материал из первого набора наноканалов, в то время как второй набор наноканалов остается покрытым наполняющим материалом, формируя первые области истока / стока на концах наноканалов первого набора наноканалов за счет первого процесс эпитаксиального роста и первая легирующая добавка, нанесение защитной пленки на первые области истока / стока посредством процесса селективного осаждения, которая откладывается на первых областях истока / стока без отложений нанести защитную пленку на другие поверхности, удалить заполняющий материал из второй стопки наноканалов, сформировать вторые области истока / стока на противоположных концах второй стопки наноканалов с помощью второго процесса эпитаксиального роста и второй присадки и удалить защитная пленка.

В третьем варианте осуществления описывается способ изготовления трехмерного многослойного полупроводникового устройства, при этом способ включает формирование множества наборов наноканалов на подложке, причем каждый пакет наноканалов включает в себя множество наноканалов, параллельных плоскости поверхности подложку и выровнены вдоль второй плоскости, перпендикулярной плоскости поверхности подложки, при этом каждый наноканал разнесен друг с другом, при этом каждый наноканал имеет противоположные концы, при этом множество стопок наноканалов покрыто наполнителем.Способ третьего варианта осуществления дополнительно включает, в направлении сверху вниз, удаление наполняющего материала с противоположных концов первой части первого пакета наноканалов, в то время как противоположные концы наноканалов, расположенные под первой частью, остаются. покрыты заполняющим материалом, образуя первые области истока / стока на противоположных концах первой части путем эпитаксиального роста, при легировании первых областей истока / стока первой или второй присадкой, осаждая защитную пленку на первом истоке / стоке области с помощью первого процесса селективного осаждения, при котором защитная пленка наносится на первые области истока / стока без нанесения защитной пленки на другие поверхности.В направлении сверху вниз удаление заполняющего материала из второй части противоположных концов первого набора наноканалов, в то время как противоположные концы наноканалов, расположенные под второй частью, остаются закрытыми, образуя вторые области истока / стока на противоположные концы второй части первого пакета наноканалов посредством эпитаксиального роста при легировании вторых областей истока / стока первой или второй присадкой, нанесение защитной пленки на вторые области истока / стока посредством второго процесса селективного осаждения который наносит защитную пленку на вторые области истока / стока без нанесения защитной пленки на другие поверхности.В направлении сверху вниз удаление заполняющего материала из третьей части первого набора наноканалов, которая открывает противоположные концы одного или нескольких третьих наноканалов, формируя третьи области истока / стока на непокрытых концах наноканалов третья часть первой стопки наноканалов путем эпитаксиального роста при легировании третьих областей истока / стока первой или второй легирующей добавкой и удалении защитной пленки со всех областей истока / стока первой стопки наноканалов.

Обратите внимание, что в этом сводном разделе не описываются все варианты осуществления и / или постепенно новые аспекты настоящего раскрытия или заявленного изобретения.Вместо этого в этом кратком описании представлено только предварительное обсуждение различных вариантов осуществления и соответствующих новшеств по сравнению с традиционными технологиями. Для получения дополнительных деталей и / или возможных перспектив изобретения и вариантов осуществления читатель направляется к разделу подробного описания и соответствующим фигурам настоящего раскрытия, как дополнительно обсуждается ниже.

Приведенное выше общее описание иллюстративных вариантов осуществления и последующее их подробное описание являются просто иллюстративными аспектами идей этого раскрытия и не являются ограничивающими.

Более полное понимание изобретения и многих сопутствующих ему преимуществ будет легко получено по мере того, как оно станет более понятным со ссылкой на следующее подробное описание при рассмотрении в сочетании с сопроводительными чертежами, на которых :

РИС. 1А изображена принципиальная схема ячейки SRAM.

РИС. 1B иллюстрирует множество трехмерных стопок на подложке.

РИС.1С изображена вертикально уложенная трехмерная ячейка.

РИС. 1D иллюстрирует блок обработки для формирования трехмерных составных схем.

РИС. 2 показан наполнитель, удаленный из левой стопки.

РИС. 3 показаны легированные S / D-области, сформированные на левой стопке.

РИС. 4 иллюстрирует выборочное нанесение защитной пленки на левую стопку.

РИС. 5 показан наполняющий материал, удаленный с концов первого наноканала правой стопки, и образование S / D на концах.

РИС. 6 показывает защитную пленку, покрывающую S / D области, сформированные на концах первого наноканала правой стопки на фиг. 5.

РИС. 7 показан заполняющий материал, удаленный с концов оставшихся наноканалов правой стопки.

РИС. 8 показаны легированные S / D-области, сформированные на концах оставшихся наноканалов правой стопки.

РИС. 9 показывает вертикально сложенную трехмерную ячейку со всей удаленной защитной пленкой.

РИС. 10A изображает принципиальную схему ячейки двойной SRAM.

РИС. 10B иллюстрирует двойные стопки ячеек 3D SRAM, разделенных материалом заполнения.

РИС. 11 иллюстрирует левую стопку фиг. 10B с удаленным наполнителем.

РИС. 12 показаны легированные S / D-области, сформированные на концах наноканалов левой стопки фиг. 10B.

РИС. 13 показывает защитную пленку, покрывающую области N + S / D, сформированные на левой стопке фиг. 11.

РИС. 14 показан наполняющий материал, удаленный с противоположных концов первого наноканала на правой стопке фиг.10B.

РИС. 15 показывает защитную пленку, покрывающую области N + S / D, сформированные на непокрытых противоположных концах фиг. 14.

РИС. 16 показан наполняющий материал, удаленный с противоположных концов двух наноканалов непосредственно под первым наноканалом на фиг. 15.

РИС. 17 показывает защитную пленку, покрывающую области N + S / D, сформированные на непокрытых противоположных концах фиг. 16.

РИС. 18 показан наполняющий материал, удаленный с противоположных концов наноканала непосредственно под двумя наноканалами, показанными на фиг.17.

РИС. 19 показывает защитную пленку, покрывающую области N + S / D, сформированные на непокрытых противоположных концах наноканалов фиг. 18.

РИС. 20 показан наполняющий материал, удаленный с противоположных концов двух наноканалов непосредственно под наноканалом на фиг. 19.

РИС. 21 показывает P + S / D, сформированный на противоположных концах двух наноканалов, показанных на фиг. 20, когда вся защитная пленка удалена с двойных стопок ячеек 3D SRAM.

РИС. 22A изображает принципиальную схему для трехмерного многоуровневого инвертора с шестью уровнями.

РИС. 22B иллюстрирует трехмерное вертикальное наложение множества наноканалов NMOS и PMOS, покрытых заполняющим материалом перед формированием S / D.

РИС. 23 показан наполняющий материал, удаленный с противоположных концов наноканалов NMOS.

РИС. 24 показывает защитную пленку, покрывающую области N + S / D, сформированные на непокрытых противоположных концах наноканалов NMOS по фиг. 23.

РИС. 25 показан заполняющий материал, удаленный с противоположных концов наноканалов PMOS.

РИС. 26 показывает образование P + S / D на непокрытых концах правой стопки ячеек трехмерного инвертора по фиг. 25.

РИС. 27 показан трехмерный шестиуровневый инверторный элемент со снятой всей защитной пленкой.

На чертежах одинаковые ссылочные позиции обозначают идентичные или соответствующие части на нескольких видах. Кроме того, используемые здесь слова «a», «an» и т.п. обычно имеют значение «один или несколько», если не указано иное.Чертежи обычно не выполняются в масштабе, если не указано иное или не показаны схематические структуры или блок-схемы.

Кроме того, термины «приблизительно», «приблизительно», «приблизительно» и аналогичные термины обычно относятся к диапазонам, которые включают идентифицированное значение в пределах 20%, 10% или предпочтительно 5%, а также любые значения между ними.

Кроме того, пространственно относительные термины, такие как «снизу», «ниже», «ниже», «сверху», «верхний», «верхний» и т.п., могут использоваться здесь для упрощения описания для описания одного элемента или характеристики. связь с другим элементом (ами) или функцией (ами), как показано на рисунках.Термины, относящиеся к пространству, предназначены для охвата различных ориентаций устройства при использовании или работе в дополнение к ориентации, изображенной на фигурах. Устройство может быть ориентировано иным образом (повернуто на 90 градусов или с другой ориентацией), и пространственно относительные дескрипторы, используемые в данном документе, также могут интерпретироваться соответствующим образом.

Ссылка во всем описании на «один вариант осуществления» или «вариант осуществления» означает, что конкретный признак, структура, материал или характеристика, описанные в связи с вариантом осуществления, включены по меньшей мере в один вариант осуществления, но не означают, что они присутствуют. в каждом варианте.Таким образом, появление фраз «в одном варианте осуществления» в различных местах описания не обязательно относится к одному и тому же варианту осуществления. Кроме того, конкретные особенности, структуры, материалы или характеристики могут быть объединены любым подходящим образом в одном или нескольких вариантах осуществления.

В области производства полупроводников шаг контактного затвора двумерного масштабирования плотности транзистора достигает своего предела масштабирования из-за производственной изменчивости и ограничений электростатических устройств.Новые конструкции транзисторов, такие как транзисторы с вертикальным каналом и круговым затвором, могут быть в состоянии преодолеть некоторые ограничения масштабирования шага контактного затвора, однако сопротивление, емкость и надежность ограничивают масштабирование шага провода, тем самым ограничивая плотность, с которой могут быть установлены транзисторы. подключены к цепям.

3D-интеграция — это вариант преодоления неизбежного насыщения при масштабировании критических размеров. Трехмерная интеграция, то есть вертикальное наложение нескольких устройств, может преодолеть эти ограничения масштабирования за счет увеличения плотности транзисторов по объему, а не по площади.Вертикальное стекирование было успешно продемонстрировано и реализовано индустрией флэш-памяти с внедрением 3D NAND. Масштабирование CMOS VLSI, которое используется, например, в продуктах CPU или GPU, исследует 3D-интеграцию в качестве основного средства продвижения вперед в плане развития полупроводников и, следовательно, требует соответствующих технологий.

Во время производства полупроводникового устройства (особенно в микроскопическом масштабе) выполняются различные процессы изготовления, такие как осаждение с образованием пленки, создание маски травления, нанесение рисунка, травление и удаление материала, а также обработка легированием.Эти процессы выполняются многократно, чтобы сформировать желаемые элементы полупроводникового устройства на подложке. Исторически сложилось так, что при микротехнологии транзисторы создавались в одной плоскости, а разводка / металлизация формировалась над плоскостью активного устройства, и, таким образом, характеризовались как двумерные (2D) схемы или двухмерные конструкции.

FinFET (ребристый полевой транзистор) является примером неплоского транзистора или «2D» транзистора. FinFET представляет собой разновидность традиционных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET), отличающихся наличием тонкого кремниевого инверсионного канала «плавник» наверху подложки, позволяющего затвору создавать две точки соприкосновения: левую и правую. плавника.Толщина ребра (измеренная в направлении от истока к сливу) определяет эффективную длину канала устройства. Закручивающаяся структура затвора обеспечивает лучший электрический контроль над каналом, уменьшая ток утечки и преодолевая другие эффекты короткого канала.

Затворный полевой транзистор (GAAFET) — это неплоский трехмерный транзистор, который по концепции аналогичен FinFET, за исключением того, что материал затвора окружает область канала со всех сторон. В зависимости от конструкции полевые транзисторы с круговым затвором могут иметь два или более эффективных затвора.В полевых транзисторах с круговым затвором может использоваться пакет кремниевых нанопроволок с полностью окружающим его затвором.

Сборка затвора по всему периметру напоминает полевой МОП-транзистор, в котором затвор зажат между истоком и стоком и имеет ребра, подобные FinFET. Полевой транзистор с круговым затвором может включать три или более нанопроволоки. Нанопроволоки, образующие каналы, подвешены и проходят от истока к стоку.

Усилия по масштабированию значительно увеличили количество транзисторов на единицу площади в двумерных схемах, но усилия по масштабированию столкнулись с более серьезными проблемами, поскольку масштабирование входит в узлы изготовления полупроводниковых устройств с одноразрядным нанометром.Прогресс в производстве полупроводниковых устройств требует трехмерных (3D) полупроводниковых схем, в которых транзисторы уложены друг на друга.

Трехмерная интеграция, то есть вертикальное наложение нескольких устройств, направлена ​​на преодоление ограничений масштабирования, присущих планарным устройствам, за счет увеличения плотности транзисторов по объему, а не по площади. Хотя стек устройств был успешно продемонстрирован и реализован индустрией флэш-памяти с внедрением 3D NAND, применение в схемах со случайной логикой значительно сложнее.

Для логических устройств обычно требуются инверторы, то есть PMOS (металлооксидный полупроводник p-типа) рядом с NMOS (металлооксидный полупроводник n-типа). Соответственно, выгодно иметь возможность размещать разные области истока / стока (S / D) на разных наноплоскостях.

Формирование областей исток / сток (S / D) осуществляется путем эпитаксиального роста на концах наноканалов в вертикальных стопках. Эпитаксия относится к типу роста кристаллов или осаждения материала, при котором формируются новые кристаллические слои с четко определенной ориентацией по отношению к кристаллической подложке.Эпитаксиальный кремний обычно выращивают с использованием парофазной эпитаксии (VPE), модификации химического осаждения из паровой фазы. Эпитаксиальный слой можно легировать во время осаждения путем добавления примесей к исходному газу, таких как арсин, фосфин или диборан. Концентрация примеси в газовой фазе определяет ее концентрацию в осаждаемой пленке.

Аспекты настоящего раскрытия описывают трехмерные логические устройства с инверторными плоскостями, такие как ячейки SRAM (статическая память с произвольным доступом). Показаны три примера с подробным описанием процесса и поперечными сечениями ячеек.

Пример 1 представляет собой ячейку 3D SRAM, уложенную вертикально.

Пример 2 представляет собой трехмерный стек, состоящий из двух завершенных ячеек SRAM, уложенных вертикально.

Пример 3 представляет собой шестиуровневый блок трехмерных инверторов.

Для ячейки SRAM из Примера 1 требуются две плоскости инвертора и одна плоскость NMOS. Принципиальная схема ячейки КМОП SRAM с шестью транзисторами показана на фиг. 1А. Ячейка SRAM включает транзисторы М ₁ -М ₆ . ИНЖИР. С 1B по фиг. 9 показан процесс создания ячейки CMOS SRAM.

РИС. 1A — принципиальная схема ячейки SRAM, которая имеет два инвертора (M ₁ последовательно с M ₂ и M ₃ последовательно с M ₄ ) и двухпроходные транзисторы (M ₅ и M ₆ ), которые содержат ячейку SRAM. WL относится к «словарной строке», а BL относится к «битовой строке». BL обозначает битовую линию той же величины, что и BL, но противоположной полярности. Обратите внимание, что затворы проходных транзисторов M ₅ и M ₆ подключены к словарной шине WL, а затворы M ₁ и M ₂ включены последовательно и подключены к разрядной шине BL.Затвор M ₂ инвертирует сигнал из битовой линии BL (переданный M ₆ по сигналу от WL), таким образом, либо M ₁ включен, либо M ₂ включен, в зависимости от полярности сигнала на BL. Точно так же логические элементы M ₃ и M ₄ включены последовательно и подключены к разрядной шине BL. Затвор M ₄ инвертирует сигнал из битовой линии BL (переданный M ₅ по сигналу от WL), таким образом, либо M ₃ включен, либо M ₄ включен, в зависимости от полярности сигнала на BL.VDD и земля будут подключены к ячейке SRAM с помощью скрытых шин питания (BPR) внутри ячейки. Обратите внимание, что M ₂ и M ₄ являются устройствами PMOS, а M ₁ , M ₃ , M ₅ и M ₆ являются устройствами NMOS. Однако эта конфигурация может быть обратной, так что M ₂ и M ₄ являются устройствами NMOS, а M ₁ , M ₃ , M ₅ и M ₆ являются устройствами PMOS.

Преимущество представленных здесь методов заключается в предоставлении логических элементов в смешанном трехмерном стеке различных конфигураций NMOS и PMOS для использования в трехмерных схемах, что позволяет комбинировать S / D-стек для создания спроектированных логических элементов.Другие логические элементы могут использовать смешанный трехмерный стек различных конфигураций NMOS и PMOS в трехмерном макете, позволяя при необходимости соединять комбинации S / D-стека для создания желаемых логических элементов. Аспекты настоящего раскрытия описывают ячейку SRAM с двойным стеком для формирования S / D.

Аспекты настоящего раскрытия включают в себя наложение относительно большого количества S / D для создания эффективной трехмерной структуры. Это достигается за счет большего контроля теплового баланса, поскольку выполняется меньше эпитаксиальных шагов для создания областей S / D.Аспекты настоящего раскрытия описывают ЯЧЕЙКУ 3D SRAM с двойным стеком с эффективной компоновкой и обработкой для областей S / D.

Наноканалы относятся либо к нанолистам, либо к нанопроволоке. Это полупроводниковые каналы, которые являются частью полевого транзистора (FET), который представляет собой устройство полного затвора (GAA) в том материале затвора, который сформирован или будет сформирован по всему поперечному сечению канала. Каналы могут быть круглой, квадратной, прямоугольной или другой формы. Наноканалы могут быть сформированы путем эпитаксиального роста.Например, первый эпитаксиальный пакет формируется на верхней поверхности первой подложки. Например, процесс CFET (дополнительный полевой транзистор) может сопровождаться выращиванием эпитаксиальных пластинок после наностека. В одном примерном варианте осуществления формируется до 12 или более чередующихся стопок монопланов кремния, германия (SiGe) и кремния. Обратите внимание, что можно сформировать менее 12 слоев. Затем эпитаксиальные стопки можно разрезать на ребристые структуры с помощью маски для травления. Материал SiGe можно при желании удалить и заменить диэлектриком.Легирование материалов канала может быть выполнено до или после образования истока / стоков. В результате на подложке могут быть сформированы вертикальные стопки каналов GAA, как показано на фиг. 1B. Хотя на фигурах показаны только две стопки, может быть множество стопок, сформированных процессами настоящего раскрытия. Например, может быть второй набор стопок, продолжающийся позади и / или продолжающийся справа и / или слева от первого набора стопок, как показано на фиг. 1B. ИНЖИР. 1C, фиг. 1D-фиг.27 иллюстрируют обработку двух соседних стопок для ясности и не должны толковаться как ограничение количества стопок, которые могут быть сформированы на подложке и обработаны способами настоящего раскрытия.

Теперь обратимся к фиг. 1C, фиг. 1D-9 сегменты подложки в поперечном сечении иллюстрируют процесс формирования вертикально уложенной ячейки 3D SRAM. ИНЖИР. 1C показано поперечное сечение ячейки SRAM, имеющей наложенные друг на друга наноканалы, подключенные к областям S / D, которые образуют транзисторы M ₁ -M ₆ на фиг.1А. На первом этапе процесса формируются наноканалы (M 1 -M 6 ) с последующим нанесением оксида и полировкой. Наноканалы (M 1 -M 6 ) на фиг. 1C представляют каналы транзисторов (M ₁ -M ₆ ) на фиг. 1А. На обоих концах наноканала находится исток или сток. На фиг. 1C, 113 — это область стека , 110, , в которой будет сформирована будущая область N + истока или стока. Соответственно, 112 — это область стека 120 , в которой будет сформирована будущая область P + S / D.

На РИС. 1C, каждый канал может иметь различный состав материала и легирование или могут иметь однородные материалы. Каналы могут иметь сформированный на них материал , 117, для защиты затвора для последующей замены функциональным затвором, который полностью окружает каждый наноканал. В неограничивающем примере материал защиты затвора может быть диэлектриком с высоким K. В неограничивающем примере диэлектрик с высоким K может быть выбран из группы, состоящей из оксида кремния гафния (HfSiO), оксида гафния (HfO ₂ ), оксида гафния и хрома (HfCrO), оксида алюминия (Al ₂ O _{). 3} ), оксид циркония (ZrO ₂ ), оксид лантана (La ₂ O ₃ ), оксид титана (TiO ₂ ), оксид иттрия (Y ₂ O ₃ ), титанат стронция (SrTiO ₃ ), оксид скандия (III) Sc ₂ O ₃ , оксид лантана La ₂ O ₃ , оксид лютеция Lu ₂ O ₃ , оксид ниобия (V) Nb ₂ O ₅ , пятиокись тантала Ta ₂ O ₅ или их комбинация.Пространства между стопками наноканалов могут быть заполнены оксидным наполнителем 118 или другим диэлектриком. В неограничивающем примере материал наполнителя может быть SiO, SiO2, нитридом кремния, оксидом нитрида или другими диэлектриками. Другие диэлектрики могут быть диэлектриками с низким или высоким K, где K находится в диапазоне от 1,5 до 3,0. Некоторыми примерами являются производные оксидов, такие как оксиды, легированные фтором (F), оксиды, легированные углеродом (C), оксиды, легированные гафнием (H), или осажденные из паровой фазы органические материалы, такие как полиимиды, или высокопористые оксиды, такие как силикат гафния (HfSiO ₄ ), силикат циркония (ZrSiO ₄ ) и титанат бария (BaTiO ₃ ).

Кроме того, концы наноканала могут обозначать либо будущую область N + S / D 113 , либо будущую область P + S / D 112 . Область N + S / D может быть сформирована путем эпитаксиального роста кремния во внутренней прокладке 119 , отделяющей каждый соответствующий наноканал от соседнего наноканала, то есть M 1 от M 3 , M 3 от M 5 , M 2 от M 4 и M 4 от M 6 .

элементов фигур фиг.1C, фиг. 2-фиг. 27 указан ниже. Эти числа обозначены как:

112 представляет будущую область P + S / D,

113 представляет дальнейшую область N + S / D,

114 представляет эпитаксиальную область P + S / D,

115 представляет эпитаксиальную область S / D N +,

116 представляет защитное покрытие S / D, которое может быть материалом с высоким содержанием K,

117 представляет защитное покрытие области затвора,

118 представляет собой оксидный наполнитель,

119 представляет собой внутреннюю прокладку, разделяющую наноканалы, а

122 представляет собой травильную маску из фоторезиста.

РИС. 1D иллюстрирует этапы обработки, необходимые для формирования схем настоящего раскрытия. Множество стопок 100 сформировано на подложке 108 , которая удерживается заготовкой 107 . Заготовка 107, перемещается мимо различных блоков обработки ( 101 — 105 ), или, альтернативно, блоки обработки перемещаются над заготовкой. Блок удаления насыпи сконфигурирован для удаления оксида из штабелей. Блок эпитаксиального роста , 102, сконфигурирован для выращивания областей истока / стока (S / D) на открытых концах наноканалов.Блок выборочного осаждения , 103, сконфигурирован для нанесения защитной пленки на завершенные области S / D, чтобы защитить их от дальнейших этапов обработки. Блок удаления защитной пленки , 104, сконфигурирован для удаления защитной пленки из стопок. Отделочная установка 105 представляет собой серию этапов, на которых формируется металлизация штабелей. Система управления (не показана) управляет перемещением заготовки , 107, , а также приведением в действие и контролем блоков обработки.

На ФИГ. 2 оксид 118 , покрывающий левую стопку 110 , был удален путем направленного травления, в то время как маска травления из фоторезиста 122 покрывает правую стопку 120 . Направленное травление открывает будущие области N + S / D 113 каналов M 1 , M 3 и M 5 .

На ФИГ. 3, маска травления из фоторезиста 122 была удалена, и оксид 118 остался, чтобы покрыть стороны стопки 120 .Оксид 118 представляет собой нитрид. За этим следует эпитаксиальный рост N + на левом стопке 110 в каждой области S / D 115 .

Эпитаксиальный рост относится к типу роста кристаллов или осаждения материала, при котором формируются новые кристаллические слои с четко определенной ориентацией по отношению к кристаллической подложке. N + представляет собой кремний, легированный высокими концентрациями легирующих примесей, таких как фосфор, мышьяк или сурьма. P + представляет собой кремний, легированный высокими концентрациями легирующих примесей, таких как атомы бора.Бор, мышьяк, фосфор и иногда галлий используются для легирования кремния. Бор является предпочтительной примесью p-типа для производства кремниевых интегральных схем, поскольку он диффундирует со скоростью, позволяющей легко контролировать глубину перехода. Фосфор обычно используется для объемного легирования кремниевых пластин, в то время как мышьяк используется для диффузии переходов, поскольку он диффундирует медленнее, чем фосфор, и, таким образом, его легче контролировать. Высокая концентрация может быть «вырожденной» или превышать 10 ¹⁸ атомов / см ³ при комнатной температуре, заставляя материал действовать как металл.Концентрации легирования для кремниевых полупроводников могут варьироваться от 10 ¹³ / см ³ до 10 ¹⁸ / см ³ . Вырожденно легированный кремний содержит долю примесей по отношению к кремнию порядка частей на тысячу. N + или P + эпитаксиальный рост областей S / D выполняется с использованием парофазной эпитаксии (VPE), модификации химического осаждения из паровой фазы. Во время осаждения эпитаксиальный слой легируют путем добавления примесей к исходному газу, таких как арсин, фосфин или диборан, в зависимости от того, образуется область N + или P + S / D.

Как показано на фиг. 4, вновь выращенные области N + S / D , 114, затем выборочно покрываются защитной пленкой 116 . Например, выборочное осаждение с высоким содержанием K выполняется для покрытия N + областей в левой стопке , 110, . В качестве альтернативы может быть выполнено низкотемпературное выращивание оксида для защиты непокрытых областей S / D. Слой с высоким k 116 может быть выбран из группы, включающей HfO ₂ , Al ₂ O ₃ , Y ₂ O ₃ , ZrO ₂ , HfZrO ₄ , TiO ₂ , Sc ₂ O ₃ , La ₂ O ₃ , Lu ₂ O ₃ , Nb ₂ O ₅ , Ta ₂ O ₅ .

Затем, если смотреть сверху вниз, часть второй стопки наноканалов 120 открывается, в то время как один или несколько наноканалов, расположенных под этой частью, остаются закрытыми. Непокрытая часть может обнажить концы одного или нескольких наноканалов. В примере на фиг. 5 канал M 6 открыт, а каналы M 4 и M 2 остаются закрытыми. Затем выращивают N + эпитаксиальные области S / D 115 для канала M 6 . За этим может последовать выборочное нанесение защитной пленки , 116, , такой как пленка с высоким K, поверх областей N + S / D правой стопки , 120, , как показано на фиг.6.

На ФИГ. 7, оставшийся оксид, покрывающий концы вертикальной стопки , 120, справа, удаляется реактивным ионным травлением, которое открывает будущие области P + S / D 112 . P + эпитаксиальные S / D-области , 114, затем выращивают в стопке 120 справа, как показано на фиг. 8. Они являются последними из областей S / D, поэтому нет необходимости наносить защитную пленку на эти области P + S / D. ИНЖИР. 9 показана защитная пленка, удаленная со всех областей S / D с завершением обоих стопок и с каждой стопкой, имеющей различное S / D образование.

В одном аспекте окончательная обработка стопок включает в себя нанесение различных слоев структур затвора, включая диэлектрический слой затвора и проводящий слой, и формирование рисунка на различных слоях для формирования структур затвора. Процесс замены металлических ворот (RMG) сначала формирует временные (или фиктивные) конструкции ворот, а затем заменяет временные конструкции ворот готовыми структурами ворот.

Технологический процесс фокусируется на этапах замены металлического затвора (RMG) для образования оксидов затвора и металлов с рабочими функциями.Дополнительные шаги для завершения устройства SRAM могут включать формирование локальных межсоединений с последующей дополнительной металлизацией (не показано). Процесс завершения продолжается с установленными процессами для завершения нанесением TiN, TaN, TiAl, заменой металлического затвора P-типа удаления рабочего металла (RMG PWFM), окончательной обработки RMG, вырезания затвора (CMG) и формовки M 0 и M 1 двойной слой дамасского металла, горизонтальные и вертикальные соединения, где M 0 относится к нижнему металлическому слою стопки, а M 1 относится к верхнему металлическому слою стопки.Вертикальные переходные отверстия могут использоваться для подключения проводки к слоям M 0 и M 1 , как известно в данной области техники.

Металлический слой работы выхода может быть слоем работы выхода p-типа или n-типа в зависимости от типа (PFET или NFET) устройства. Слой работы выхода p-типа содержит металл, выбранный из группы нитрида титана (TiN), нитрида тантала (TaN), рутения (Ru), молибдена (Mo), вольфрама (W), платины (Pt), но не ограничиваясь ими. или их комбинации. Слой работы выхода n-типа содержит металл, выбранный из группы, но не ограничиваясь ими, из группы титана (Ti), алюминия (Al), карбида тантала (TaC), нитрида карбида тантала (TaCN), нитрида кремния тантала (TaSiN), титана. нитрид кремния (TiSiN) или их комбинации.Слой металлического наполнителя может включать алюминий (Al), вольфрам (W), кобальт (Co) и / или другие подходящие материалы.

В процессе двойного дамасцена структура подвергается стадии травления диффузионного барьера, после чего осаждается сквозной диэлектрик. Затем на этапе травления образуется зазор, в котором образуются линии и переходные отверстия.

Тонкий барьерный слой материалов из тантала (Ta) и нитрида тантала (TaN) наносится методом физического осаждения из паровой фазы (PVD). Ta используется для формирования облицовки, а TaN — для барьера в конструкции.Барьерный слой покрыт затравкой из меди посредством физического осаждения из паровой фазы (PVD). И, наконец, на структуру наносится гальваническое покрытие медью и полируется планарно методом химико-механической полировки (ХМП).

Пример 2 шестиуровневого стека с различными комбинациями S / D для использования с двойным стеком SRAM 3D из 12 транзисторов и плоскостью из 6 транзисторов инверторов показан на фиг. 10А, 10Б, 11-21. ИНЖИР. 10A показаны две схемы SRAM ( 1010 , 1020 ), которые будут изготавливаться в одном стековом устройстве.Подобно фиг. 1C, фиг. 10В показан двойной пакет SRAM, имеющий вертикальные пакеты наноканалов, сформированные на подложке. Оксид 118 заполняет промежутки между стопками наноканалов. Обратите внимание, что в стеке слева есть все будущие области N + S / D 113 , а в стеке справа есть N + 115 и будущие области P + S / D 114 . На первом этапе процесса формируются наноканалы (M 1 -M 6 ) с последующим нанесением оксида и полировкой. Наноканалы (M 1 -M 6 ) на фиг.10B представляют каналы транзисторов (M ₁ -M ₆ ) каждого из устройств SRAM, показанных на фиг. 10A (см. Первое SRAM (a) и второе SRAM (b), каждая из которых имеет транзисторы M ₁ -M ₆ ). На обоих концах наноканала находится исток или сток. На фиг. 10B, 113 — это область стека , 110, , в которой будет сформирована будущая область N + истока или стока. Соответственно, 112 — это область стека 120 , в которой будет сформирована будущая область P + S / D.

РИС. На фиг.11 показано маскирование фоторезистом 122 стопки 1020 справа, в то время как стопка 1010 слева открыта, чтобы открыть концы каналов. Все концы каналов в стеке 1010, слева являются будущими областями N + S / D 113, , поэтому эти области S / D могут быть увеличены для всего стека одновременно, как показано на фиг. 12. Эти недавно выращенные области N + S / D 115 могут быть затем покрыты защитной пленкой 116 , например, путем селективного осаждения с высоким содержанием K, как показано на фиг.13.

На ФИГ. 14, концы наноканалов верхнего канала в стопке 1020 справа не закрыты. Область N + S / D 115 выращивается на этом верхнем наноканале и затем покрывается защитной пленкой 116 , как показано на фиг. 15.

На ФИГ. 16, направленное травление (реактивное ионное травление) продолжается и открывает следующие две будущие пары концов P + S / D наноканала 112 из стопки 1020 .

На ФИГ. 17, области P + S / D 114 эпитаксиально выращиваются на этих концах каналов и затем покрываются защитной пленкой 116 .

На РИС. 18, открывается следующий канал (M 6 стека 1020 , соответствующий транзистору M 6 SRAM (b) на фиг. 10A), а затем эпитаксиально наращиваются N + S / D областей 115 . На фиг. 19, эти области 115 покрыты защитным оксидом или материалом с высоким содержанием K.

На РИС. 20, оставшиеся каналы (M 2 и M 4 , соответствующие транзистору M 6 из (b) SRAM на фиг. 10A) в стеке 1020 справа открыты, показывая будущие P + S / D. области 112 (см. ФИГ.19) и области P + S / D 114 выращиваются эпитаксиально. После этого все защитные пленки можно будет снять. Результирующая пара стеков показана на фиг. 21. Обратите внимание, что сформированы две полные ячейки SRAM 1010 и 1020 , уложенные вертикально. Понятно, что описанные здесь методы могут быть изменены для формирования любой комбинации типов S / D на каждой плоскости вертикальных стопок устройств GAA.

На этом этапе технологический процесс фокусируется на этапах замены металлического затвора (RMG) для образования оксидов затвора и металлов с работой выхода.Дополнительные шаги для завершения двойной SRAM 3D могут включать формирование локальных межсоединений (Li) с последующей дополнительной металлизацией (не показано). Процесс завершения продолжается с установленными процессами для завершения нанесением TiN, TaN, TiAl, снятием сменного металлического затвора P-типа с рабочей функцией металла (RMG PWFM), окончательным RMG, резкой затвора и формованием M 0 и M 1 двойным Горизонтальные и вертикальные соединения слоя дамасского металла.

РИС. 22А — принципиальная схема одиночной схемы инвертора КМОП.M ₁ и M ₂ представляют собой последовательно соединенные транзисторы. «A» — это сигнал управления затвором, а Q — выход. V _dd и V _ss — шины питания. Несколько инверторных схем могут быть уложены на одной подложке с использованием технологий настоящего раскрытия.

Пример 3 процесса изготовления многослойных КМОП-инверторов показан на фиг. С 22B по фиг. 27. Фиг. С 22B по фиг. 27 используют методы, аналогичные описанным ранее. В примере 3 шесть инверторных плоскостей с N + S / D и P + S / D собраны вместе в один стек.Как правило, стопка слева открыта, и на каждом наноканале выращиваются N + S / D-области, а затем защищаются. Впоследствии стопка справа раскрывается, и области P + S / D растут на всех концах канала стопки справа, образуя стопки инвертора 3D CMOS.

На РИС. 22B, поперечные сечения сегментов подложки иллюстрируют последовательность операций процесса формирования вертикально уложенного инвертора 3D CMOS. ИНЖИР. 22B показано поперечное сечение КМОП-инвертора, изготовленного на подложке 2205 и имеющего стопки ( 2210 , 2220 ) наноканалов, подключенных к областям S / D, которые образуют транзисторы NMOS M ₁ и PMOS. транзисторы M ₂ по фиг.22А. На первом этапе процесса формируются наноканалы с последующим нанесением оксида и полировкой. Наноканалы на фиг. 22B представляют шесть каналов шести уложенных друг на друга NMOS-транзисторов M ₁ и шесть каналов шести уложенных друг на друга PMOS-транзисторов M ₂ на фиг. 22А. На обоих концах наноканала есть исток или сток каждого соответствующего транзистора. На фиг. 22B, 113 — это область стека , 2210, , в которой будет сформирована будущая область N + истока или стока. Соответственно, 112 — это область стека 2220 , в которой будет сформирована будущая область P + S / D.Оксидный наполнитель окружает конструкцию и разделяет стопки 2210 и 2220 . Между каждым транзистором сформирована прокладка , 119, для приостановки каналов.

На ФИГ. 23, оксидная заливка 118 была вытравлена ​​из стопки 2210 , а области N + S / D 115 были выращены эпитаксиально. Стек 2220 сохраняет оксидную заливку 118 , которая защищает ее будущие области P + S / D 112 . Можно отметить, что области S / D выращиваются за один этап.

На ФИГ. 24, недавно выращенные области N + S / D 115 стопки 2210 покрыты оксидом с высокой или низкой температурой 116 для подготовки к образованию областей P + S / D на концах каналов. стека 2220 .

На РИС. 25, реактивное ионное травление (RIE) выборочно удаляет защитную оксидную заливку 118 из стопки 2220 , обнажая будущие области P + S / D 112 .

На ФИГ. 26, эпитаксиальный рост P + формирует области P + S / D 114 по обе стороны от каждого канала PMOS.

РИС. 27 показывает, что защитное осаждение с высоким содержанием K (или низкотемпературный оксид) было удалено, образуя шесть установленных друг на друга КМОП-инверторов. Каждый транзистор NMOS стека 2210 имеет канал с N + S / D областями на концах. Каждый транзистор PMOS в стеке 2220 имеет канал с областями P + S / D на концах.

На этом этапе процесс фокусируется на этапах замены металлического затвора (RMG) для образования оксидов затвора и металлов с работой выхода. Дополнительные шаги для завершения пакетных инверторов CMOS могут включать формирование локальных межсоединений с последующей дополнительной металлизацией (не показано).Процесс завершения продолжается с установленными процессами для завершения нанесением TiN, TaN, TiAl, снятием сменного металлического затвора P-типа с рабочей функцией металла (RMG PWFM), окончательным RMG, резкой затвора и формованием M 0 и M 1 двойным Горизонтальные и вертикальные соединения слоя дамасского металла.

С любым из этих потоков обработка может продолжаться по желанию. Например, можно выполнить локальные межсоединения, а также обработку оксида затвора и электрода затвора через первый металлический слой.Это может включать замену металлического затвора и обычную двойную дамасскую металлизацию. Таким образом, описанные здесь методы обеспечивают способы изготовления вертикальных стопок транзисторов GAA с различными типами легирования S / D.

Кроме того, любая отдельная стопка наноканалов может быть обработана так, чтобы все области истока / стока наноканалов были легированы одной и той же присадкой, то есть аналогично первой стопке наноканалов 110 на фиг. 9, или стопка 1010 на фиг. 21, который представляет собой стопку идентичных наноканальных полевых транзисторов.В качестве альтернативы, любой одиночный пакет наноканалов может быть обработан для получения областей S / D наноканала с чередующимися легирующими добавками, такой как пакет , 120, на фиг. 9, или стопка 1020 на фиг. 21.

Первый вариант осуществления проиллюстрирован со ссылкой на фиг. 1A, B, C, D, фиг. 2-фиг. 27. Первый вариант осуществления описывает способ изготовления трехмерного пакетированного полупроводникового устройства, при этом способ включает формирование множества наборов наноканалов на подложке 108 (см. Фиг.1B), каждый пакет наноканалов включает в себя множество наноканалов (MM 6 , фиг. 1C), параллельных плоскости поверхности (X, Y, фиг. 1B) подложки и ориентированных вдоль второй плоскости, перпендикулярной ( Z) к плоскости поверхности подложки, при этом каждый наноканал стопки разнесен друг от друга на наноканал стопки (например, M 1 отделен от M 3 прокладкой 119 , ФИГ. 1С), в котором каждый наноканал имеет противоположные концы (обратите внимание на концы 113 наноканала M 5 , ФИГ.1C), в котором множество стопок наноканалов покрыто наполняющим материалом , 118, , удаляя наполняющий материал, по меньшей мере, из одного первого набора наноканалов, в то время как, по меньшей мере, один второй набор наноканалов остается покрытым наполняющим материалом ( см. фиг. 2), формируя первые области , 115, истока / стока (фиг. 3) на противоположных концах по меньшей мере одного первого набора наноканалов посредством процесса эпитаксиального роста, включая первую легирующую добавку или вторую легирующую добавку, осаждая защитная пленка 116 (РИС.4) на первые области истока / стока с помощью первого процесса избирательного осаждения, который наносит защитную пленку на первые области истока / стока без нанесения защитной пленки на другие поверхности, в направлении сверху вниз (в направлении Z, фиг. . 5), удаляя заполняющий материал из первой части противоположных концов по меньшей мере одного второго набора наноканалов, в то время как один или несколько наноканалов, расположенных под первой частью, остаются закрытыми, образуя вторые области истока / стока 115 на первой части с помощью процесса эпитаксиального роста, включая первую или вторую легирующую добавку, осаждая защитную пленку на вторых областях истока / стока (ФИГ.6) с помощью второго процесса избирательного осаждения, при котором защитная пленка наносится на первые области истока / стока без нанесения защитной пленки на другие поверхности в направлении сверху вниз, удаляя наполняющий материал со второй части ( 112 , ФИГ. . 7) противоположных концов второй стопки наноканалов, так что противоположные концы по меньшей мере одного дополнительного наноканала открыты, образуя третьи области истока / стока ( 114, , фиг. 8) на второй части посредством процесс эпитаксиального роста, включающий первую или вторую легирующую добавку, и удаление защитной пленки (ФИГ.9).

Способ по первому варианту осуществления дополнительно включает перед удалением наполняющего материала из по меньшей мере одной первой стопки наноканалов покрытие верхней части по меньшей мере одной второй стопки наноканалов фоторезистом; и перед удалением наполняющего материала с первой части противоположных концов по меньшей мере одного второго набора наноканалов удаление фоторезиста.

Способ по первому варианту осуществления включает в себя первую альтернативу, в которой ячейка SRAM формируется путем легирования первых областей истока / стока первой легирующей примесью, при этом первая легирующая добавка представляет собой легирующую добавку N +, легируя вторые области истока / стока первая легирующая добавка и легирование третьих областей истока / стока второй легирующей добавкой, при этом вторая легирующая добавка представляет собой легирующую добавку P +.

Способ первого варианта осуществления включает в себя вторую альтернативу, в которой ячейка SRAM формируется путем легирования первых областей истока / стока первой легирующей присадкой, при этом первая легирующая примесь представляет собой легирующую добавку P +, легируя вторые области истока / стока первая легирующая добавка, легирующая третьи области истока / стока второй легирующей добавкой, при этом вторая легирующая добавка представляет собой легирующую добавку N +.

Способ первого варианта осуществления включает в себя третью альтернативу, в которой либо ячейка SRAM формируется путем легирования первых областей истока / стока первой легирующей примесью, причем первая легирующая примесь представляет собой легирующую добавку N +, легируя вторые области истока / стока с помощью вторая легирующая добавка, в которой вторая легирующая добавка представляет собой легирующую добавку P +, легируя третьи области истока / стока первой легирующей добавкой, или четвертый вариант, в котором ячейка SRAM формируется путем легирования первых областей истока / стока первой легирующей добавкой, при этом первая легирующая добавка представляет собой легирующую добавку P +, легирующую вторые области истока / стока второй легирующей добавкой, при этом вторая легирующая добавка представляет собой легирующую добавку N +, легирующую третьи области истока / стока первой легирующей добавкой.

Способ первого варианта осуществления включает пятую альтернативу, в которой инверторный элемент (фиг. 22A, 22B-27) формируется путем легирования первых областей истока / стока первой легирующей примесью, легирования вторых областей истока / стока вторая легирующая добавка, легирующая третьи области истока / стока второй легирующей добавкой, при этом вторая и третья области истока / стока равны всем областям истока / стока второй стопки.

Способ по первому варианту осуществления дополнительно включает формирование локальных межсоединений на первом и втором пакетах, формирование дополнительной металлизации, нанесение слоев TiN, TaN и TiAl на металлизацию, удаление замещающего металлического затвора металла с рабочей функцией P-типа (RMG PWFM), формирование сменного металлического затвора (RMG), вырезание каждой затворной области стопки от затворной зоны другой стопки и формирование горизонтальных и вертикальных соединений двойного дамасского металлического слоя.

Способ первого варианта осуществления дополнительно включает шестой вариант, в котором двойная ячейка SRAM формируется (фиг. 10A, фиг. 10B-фиг. 21) перед удалением защитной пленки путем нанесения защитной пленки на третью ячейку. области истока / стока (фиг.17) с помощью третьего процесса избирательного осаждения, при котором защитная пленка наносится на третьи области истока / стока без нанесения защитной пленки на другие поверхности, в направлении сверху вниз (см. Z, фиг.16) удаление наполняющего материала из третьей части по меньшей мере одного второго набора наноканалов, который открывает противоположные концы одного или нескольких четвертых наноканалов под второй частью, образуя четвертые области истока / стока , 115, (ФИГ.18) на непокрытых концах наноканалов третьей части путем эпитаксиального роста при легировании четвертых областей истока / стока первой или второй легирующей примесью, нанесение защитной пленки , 116, на четвертые области истока / стока (фиг. ) с помощью четвертого процесса селективного осаждения, который наносит защитную пленку на четвертые области истока / стока без нанесения защитной пленки на другие поверхности, в направлении сверху вниз, удаляя заполняющий материал из четвертой части по меньшей мере одной второй наночастицы. -канальный пакет, который открывает противоположные концы 112 одного или нескольких наноканалов под третьей частью, образуя пятые области истока / стока , 114, (фиг.20) на непокрытых концах наноканалов четвертой части путем эпитаксиального роста при легировании пятых областей истока / стока первой или второй присадкой.

Метод шестой альтернативы включает легирование первых областей истока / стока первой присадкой, легирование вторых областей истока / стока первой присадкой, легирование третьих областей истока / стока второй присадкой, легирование четвертого истока / области стока второй присадкой и легирование пятых областей истока / стока первой присадкой.

Способ первого варианта осуществления включает в себя седьмую альтернативу, которая формирует ячейку с двойной памятью SRAM путем легирования первых областей истока / стока первой легирующей присадкой, при этом первая легирующая добавка представляет собой легирующую добавку N +, легируя вторые области истока / стока первой присадкой. легирование, легирование третьих областей истока / стока второй легирующей добавкой, при этом вторая легирующая добавка представляет собой легирующую добавку P +, легирование четвертых областей истока / стока первой легирующей добавкой и легирование пятых областей истока / стока второй легирующей добавкой.

Способ по первому варианту осуществления включает в себя восьмую альтернативу, которая формирует ячейку с двойной памятью SRAM путем легирования первых областей истока / стока первой легирующей присадкой, при этом первая легирующая добавка представляет собой легирующую добавку P +, легируя вторые области истока / стока первой присадкой. легирование, легирование третьих областей истока / стока второй легирующей добавкой, при этом вторая легирующая добавка представляет собой легирующую добавку N +, легирование четвертых областей истока / стока первой легирующей добавкой и легирование пятых областей истока / стока второй легирующей добавкой.

Способ первого варианта осуществления включает девятую альтернативу, которая формирует двойную ячейку SRAM путем нанесения защитной пленки на пятые области истока / стока с помощью шестого процесса избирательного осаждения, при котором защитная пленка наносится на пятые области истока / стока без осаждения. защитная пленка на других поверхностях сверху вниз, образуя дополнительные легированные области истока / стока под пятыми областями истока / стока по меньшей мере одного второго набора наноканалов путем пошагового постепенного удаления заполняющего материала с одного или нескольких на противоположных концах, каждое постепенное удаление с последующим эпитаксиально растущими легированными областями истока / стока на одном или нескольких противоположных концах, при этом области истока / стока поочередно легируются первой или второй легирующей добавкой, выборочно осаждая защитную пленку на легированном источнике / дренажные области перед открытием дополнительных противоположных концов во втором пакете наноканалов, в котором защитная пленка выборочно наносится на y на легированных областях истока / стока и удаления защитной пленки после завершения формирования истока / стока на всех противоположных концах наноканалов второго набора наноканалов.

Второй вариант осуществления проиллюстрирован со ссылкой на фиг. 22A, 22B-ФИГ. 27. Второй вариант осуществления описывает способ изготовления трехмерного пакетного инвертора, включающий формирование множества наборов наноканалов ( 2210 , 2220 , фиг. 22B) на подложке , 2205, , каждый наноканал стопка, включающая множество наноканалов (NMOS 1 -NMOS 6 ; PMOS 1 -PMOS 6 , фиг. 22B), параллельных плоскости поверхности подложки и выровненных по второй плоскости, перпендикулярной плоскости плоскость поверхности подложки (обратите внимание на наноканал для NMOS 1 , параллельный подложке 2205 , фиг.22B), в котором каждый наноканал разнесен друг от друга. множество стопок наноканалов покрыто заполняющим материалом , 118, , удаляя заполняющий материал из первой стопки наноканалов, в то время как вторая стопка наноканалов остается покрытой заполняющим материалом и формирует первые области истока / стока 115 (ИНЖИР.23) на концах наноканалов первого пакета наноканалов с помощью первого процесса эпитаксиального роста и первой легирующей примеси, нанесение защитной пленки , 116, на первые области истока / стока посредством процесса селективного осаждения, которое откладывается на первом истоке. / дренажные области без нанесения защитной пленки на другие поверхности (фиг. 24), удаление заполняющего материала из второй стопки наноканалов (фиг. 25), формирование вторых областей истока / дренажа , 114, на противоположных концах второго Пакет наноканалов с помощью второго процесса эпитаксиального роста и второй легирующей добавки (ФИГ.26) и снятие защитной пленки (фиг. 27).

Третий вариант осуществления проиллюстрирован на фиг. 1A, B, C, D, фиг. 2-фиг. 27. Третий вариант осуществления описывает способ изготовления трехмерного многослойного полупроводникового устройства, при этом способ формирует множество (фиг. 1B) наборов наноканалов на подложке 108 (см. Фиг. 1B), причем каждый набор наноканалов ( 110 , 120 , например, фиг. 1C), включая множество наноканалов (MM 6 , фиг.1C), параллельной плоскости поверхности (X, Y, фиг. 1B) подложки и выровненной по второй плоскости (Z), перпендикулярной плоскости поверхности подложки, при этом каждый наноканал в стопке расположен на расстоянии от каждого другой наноканал в стопке (например, M 1 , отделенный от M 3 прокладкой 119 , фиг. 1C), при этом каждый наноканал имеет противоположные концы (обратите внимание на концы 113 нано- канал M 5 , фиг.1C), в котором множество стопок наноканалов покрыто наполняющим материалом 118 .Способ третьего варианта осуществления дополнительно включает, в направлении сверху вниз, удаление наполняющего материала с противоположных концов первой части первого пакета наноканалов, в то время как противоположные концы наноканалов, расположенные под первой частью, остаются. покрыты заполняющим материалом, образуя первые области истока / стока на противоположных концах первой части путем эпитаксиального роста, при легировании первых областей истока / стока первой или второй присадкой, осаждая защитную пленку на первом истоке / стоке области с помощью первого процесса селективного осаждения, при котором защитная пленка наносится на первые области истока / стока без нанесения защитной пленки на другие поверхности.В направлении сверху вниз удаление заполняющего материала из второй части противоположных концов первого набора наноканалов, в то время как противоположные концы наноканалов, расположенные под второй частью, остаются закрытыми, образуя вторые области истока / стока на противоположные концы второй части первого пакета наноканалов посредством эпитаксиального роста при легировании вторых областей истока / стока первой или второй присадкой, нанесение защитной пленки на вторые области истока / стока посредством второго процесса селективного осаждения который наносит защитную пленку на вторые области истока / стока без нанесения защитной пленки на другие поверхности.В направлении сверху вниз удаление заполняющего материала из третьей части первого набора наноканалов, которая открывает противоположные концы одного или нескольких третьих наноканалов, формируя третьи области истока / стока на непокрытых концах наноканалов третья часть первой стопки наноканалов путем эпитаксиального роста при легировании третьих областей истока / стока первой или второй легирующей добавкой и удалении защитной пленки со всех областей истока / стока первой стопки наноканалов.

Способ третьего варианта осуществления включает в себя первую альтернативу легирования первых областей истока / стока первой легирующей добавкой, при этом первая легирующая добавка представляет собой легирующую добавку N +, легирование вторых областей истока / стока второй легирующей добавкой, при этом вторая легирующая добавка представляет собой легирующую добавку P +, и легирование третьей области истока / стока первой легирующей добавкой.

Способ третьего варианта осуществления включает в себя вторую альтернативу легирования первых областей истока / стока первой легирующей добавкой, при этом первая легирующая добавка представляет собой легирующую добавку P +, легирование вторых областей истока / стока второй легирующей добавкой, при этом вторая легирующая добавка представляет собой легирующую примесь N + и легирование третьей области истока / стока первой легирующей добавкой.

Способ третьего варианта осуществления дополнительно включает локальные межсоединения на первом пакете наноканалов, формирование дополнительной металлизации, нанесение слоев TiN, TaN и TiAl на металлизацию, удаление замещающего металлического затвора металла с рабочей функцией P-типа (RMG PWFM), формирование сменного металлического затвора (RMG), вырезание каждой затворной области стопки от затворной зоны другой стопки и формирование горизонтальных и вертикальных соединений двойного дамасского металлического слоя.

Способ третьего варианта осуществления дополнительно включает третью альтернативу, в которой перед удалением защитной пленки наносят защитную пленку на третьи области истока / стока с помощью третьего процесса выборочного осаждения, который наносит защитную пленку на третий источник / области стока без нанесения защитной пленки на другие поверхности сверху вниз, образуя дополнительные легированные области истока / стока под третьей частью первого набора наноканалов путем пошагового постепенного удаления заполняющего материала с одной или нескольких частей на противоположных концах первого набора наноканалов, каждое постепенное удаление с последующим эпитаксиальным ростом областей истока / стока на одном или нескольких противоположных концах с поочередным легированием противоположных концов каждой части первой или второй легирующей добавкой, выборочно осаждая защитная пленка на каждой части области истока / стока перед открытием дополнительных противоположных концов в первом пакете наноканалов, при этом защитная пленка избирательно наносится только на области истока / стока части и удаляет защитную пленку после завершения формирования истока / стока на всех противоположных концах наноканалов первого пакета наноканалов.

Способ третьего варианта осуществления дополнительно включает четвертую альтернативу, в которой перед удалением защитной пленки наносят защитную пленку на третьи области истока / стока с помощью третьего процесса выборочного осаждения, который наносит защитную пленку на третий источник / области слива без нанесения защитной пленки на другие поверхности, в направлении сверху вниз, удаление наполняющего материала с противоположных концов четвертой части первого набора наноканалов, в то время как противоположные концы наноканалов расположены под четвертой частью остаются закрытыми, формируя четвертые области истока / стока на противоположных концах четвертой части путем эпитаксиального роста, легируя четвертые области истока / стока первой или второй присадкой, нанося защитную пленку на четвертые области истока / стока посредством четвертый процесс избирательного осаждения, который наносит защитную пленку на четвертые области истока / стока без нанесения защитной пленки на другие поверхности в направлении сверху вниз, удаление заполняющего материала с противоположных концов пятой части первого набора наноканалов, в то время как противоположные концы наноканалов, расположенные под пятой частью, остаются закрытыми, образуя пятый исток / сток области на противоположных концах пятой части путем эпитаксиального роста при легировании пятых областей истока / стока первой или второй присадкой, нанесение защитной пленки на пятые области истока / стока с помощью пятого процесса селективного осаждения, в результате которого осаждается защитная пленка на пятых областях истока / стока без нанесения защитной пленки на другие поверхности в направлении сверху вниз, удаление заполняющего материала с противоположных концов шестой части первого набора наноканалов, формирование шестых областей истока / стока на противоположных концах шестой части путем эпитаксиального роста при легировании шестых областей истока / стока первой или второй присадкой.

Четвертая альтернатива дополнительно включает легирование первых областей истока / стока первой присадкой, легирование вторых областей истока / стока второй присадкой, легирование третьих областей истока / стока первой присадкой, легирование четвертых областей истока / стока. со второй присадкой, легирование пятых областей истока / стока первой присадкой, легирование шестых областей истока / стока второй присадкой, при этом первая легирующая добавка является одной из легирующей примеси N + и P +, а вторая легирующая добавка является одной из примесь N + и примесь P +.

Порядок обсуждения различных этапов, описанных в данном документе, был представлен для ясности. Как правило, эти шаги можно выполнять в любом подходящем порядке. Кроме того, хотя каждая из различных функций, технологий, конфигураций и т.д. здесь может обсуждаться в разных местах этого раскрытия, предполагается, что каждая из концепций может выполняться независимо друг от друга или в комбинации друг с другом. Соответственно, аспекты настоящего раскрытия могут быть воплощены и рассмотрены множеством различных способов.

В предыдущем описании были изложены конкретные детали, такие как конкретная геометрия системы обработки и описания различных компонентов и процессов, используемых в ней. Однако следует понимать, что способы, описанные здесь, могут быть применены на практике в других вариантах осуществления, которые отклоняются от этих конкретных деталей, и что такие подробности предназначены для целей объяснения, а не ограничения. Раскрытые здесь варианты осуществления были описаны со ссылкой на прилагаемые чертежи.Точно так же в целях объяснения были указаны конкретные номера, материалы и конфигурации, чтобы обеспечить полное понимание. Тем не менее варианты осуществления могут быть реализованы без таких конкретных деталей. Компоненты, имеющие по существу одинаковые функциональные конструкции, обозначены одинаковыми ссылочными позициями, и, таким образом, любые повторяющиеся описания могут быть опущены.

Различные методы были описаны как множественные дискретные операции, чтобы помочь в понимании различных вариантов осуществления.Порядок описания не следует истолковывать как подразумевающий, что эти операции обязательно зависят от порядка. В самом деле, эти операции не обязательно выполнять в порядке представления. Описанные операции могут выполняться в порядке, отличном от описанного варианта осуществления. Могут выполняться различные дополнительные операции и / или описанные операции могут быть опущены в дополнительных вариантах осуществления.

Используемый здесь термин «подложка» или «целевая подложка» в общем относится к объекту, обрабатываемому в соответствии с изобретением.Подложка может включать в себя любую часть материала или структуру устройства, в частности полупроводниковое или другое электронное устройство, и может, например, быть структурой базовой подложки, такой как полупроводниковая пластина, сетка или слой на базовой подложке или поверх нее. структура, такая как тонкая пленка. Таким образом, подложка не ограничивается какой-либо конкретной базовой структурой, нижележащим слоем или вышележащим слоем, с рисунком или без рисунка, а, скорее, предполагается, что она включает любой такой слой или базовую структуру и любую комбинацию слоев и / или базовых структур.В описании могут быть указаны конкретные типы подложек, но это только для иллюстративных целей.

Специалисты в данной области также поймут, что может быть много изменений, внесенных в операции описанных выше методов, при этом все же достигая тех же целей изобретения. Предполагается, что такие варианты входят в объем настоящего раскрытия. Таким образом, приведенное выше описание вариантов осуществления изобретения не предназначено для ограничения. Скорее, любые ограничения вариантов осуществления изобретения представлены в следующей формуле изобретения.

Анатомия черепных вен | 3D модели

Анатомия вен головного мозга может быть разделена на анатомический отдел церебральной ямки и задней черепной ямки. Венозную конфигурацию головного мозга можно разделить на глубокую (субэпендимальную) и поверхностную. Поверхностное разделение, как описал Ротон, представляет собой серию дренажных вен, которые можно сгруппировать в четыре группы соединительных вен: верхняя сагиттальная группа, клиновидная группа, тенториальная группа и группа фальцина.Высокая вариативность в расположении и преобладание вен в этих анатомических областях демонстрирует необходимость разделения на региональном уровне.

К глубоким венам относятся те, которые дренируют стенки желудочков, сосудистые сплетения и базальные цистерны. Эти структуры включают базальную венозную систему, внутреннюю венозную систему головного мозга и вену Галена.

Глубокие и поверхностные венозные группы головного мозга затем сходятся в основных дренажных пазухах, которые включают верхний сагиттальный синус, нижний сагиттальный синус, прямой синус, поперечные пазухи, тенториальные пазухи, кавернозные пазухи, верхние каменные пазухи, клиновидно-теменные пазухи, сфенобазальные пазухи и сфенопетрозальные пазухи.Большая часть дренажа из основных дренажных пазух сходится на внутренних яремных венах, которые служат основным оттоком из свода черепа.

Венозные структуры задней черепной ямки можно разделить на четыре отдела: поверхностные, глубокие, стволовые и мостовидные вены. Ротон далее разделил поверхностные дренажные жилы на тенториальные, субзатылочные и каменистые дренажные поверхности. Три поверхностных поверхности, глубокие вены задней ямки вдоль трещин мозжечка и сплетения вдоль ствола мозга впадают в одну из трех групп мостиковых вен: галеновые, каменистые или тенториальные.Галеновая группа стекает в вену Галена. Каменистая группа стекает в нижние или верхние каменные пазухи. Тенториальная группа стекает в тенториальные пазухи, которые в конечном итоге стекают в верхние каменистые, прямые или поперечные пазухи.

Связанный контент

Как копать дыры в полимерных отпечатках как профессионал — 3D-принтер

Выкопывание дырок в отпечатках из смолы важно для получения удачных моделей, которые выходят красиво, но многие люди не понимают, стоит ли им делать это в первую очередь, как добавлять дыры и даже куда их добавлять.

Я решил написать статью, объясняющую, как именно это сделать, а также дополнительную информацию, которая будет вам полезна.

Чтобы выкопать ямы в 3D-принтах из смолы, просто войдите в выбранное программное обеспечение и выберите раздел «Отверстия», который может находиться в разделе «Полые» или в разделе «Поддержки» в Lychee Slicer. Вы можете настроить ширину и глубину отверстия и щелкнуть модель, чтобы добавить ее.

Это основной ответ о том, как копать дыры в отпечатках из смолы, поэтому продолжайте читать, чтобы узнать, как это сделать правильно для ваших будущих моделей.

Зачем на 3D-принтах из смолы нужны дренажные отверстия?

Смола для 3D-печати требует дренажных отверстий, чтобы неотвержденная смола могла стекать из модели, а также для снятия внутреннего давления, которое возникает между листом FEP и вашей моделью. Это также увеличивает вероятность успеха ваших 3D-отпечатков из смолы за счет уменьшения веса вашей модели. Идеально подходят два или более дренажных отверстия.

Метод SLA 3D-печати выполняется послойно с использованием жидкой смолы. Когда ваша деталь создается, жидкая смола может накапливаться внутри модели, не просачиваясь обратно в емкость для смолы.Здесь и появляются сливные отверстия.

Вместо того, чтобы застревать неотвержденную смолу внутри отпечатка, вы можете создать дренажные отверстия, чтобы неотвержденная смола легко вымывалась.

Удаление этой смолы дает много преимуществ, таких как экономия смолы, сокращение количества сбоев при печати, поскольку отпечатки становятся менее тяжелыми, а отверстия работают как метод снижения давления всасывания.

Еще одна вещь, которая может произойти, когда неотвержденная смола остается внутри ваших отпечатков, — это повышение давления, которое в конечном итоге выливается наружу и даже создает трещины на боковой стороне вашей модели.

Это может легко привести к проблемам с безопасностью из-за утечки неотвержденной смолы из вашей модели, а также к дефектам печати, которые портят внешний вид печати.

Кроме того, полая модель без дренажных отверстий может «взорваться», как заявляет Formlabs.

Добавление дренажных отверстий на отпечатки из смолы дает множество преимуществ, поэтому важно знать, как правильно создавать дренажные отверстия.

Обычный процесс — выдолбить модели в слайсере, а затем добавить несколько дренажных отверстий там, где это имеет смысл.Далее в этой статье я объясню, где следует добавлять дренажные отверстия.

Имейте в виду, дренажные отверстия не всегда работают так хорошо, как вы думаете, особенно если ориентация вашей детали не оптимальна или если отверстия недостаточно велики.

Следующее видео является отличным объяснением и иллюстрацией того, как дренажные отверстия работают в вашу пользу.

Как вырыть ямы в отпечатках из смолы

Как копать отверстия в отпечатках смолы в слайсере для личи

Чтобы найти кнопку «Отверстие» в слайсере Lychee, вам нужно щелкнуть «Поддержки» в рабочем процессе слайсера Lychee вверху.Появится окно, в котором вы увидите вкладку «Опоры» и «Отверстия». Щелкните вкладку «Отверстия», затем щелкните 3D-модель из смолы, чтобы создать отверстие в желаемой области.

На этой вкладке вы можете настроить «Диаметр» и «Проникновение» (длину отверстия). Настройки по умолчанию могут помочь вам начать работу с диаметром 1,5 мм и проникновением 2,0 мм, если толщина вашей стены составляет менее 2,0 мм.

Вы также можете превратить свой объект в отверстие, чтобы применить его к другим моделям.Это может быть полезно, если вам нужно отверстие другой формы, поскольку слайсер Lychee предлагает только куб и цилиндр в качестве формы отверстия.

На скриншоте ниже вы можете увидеть, как дренажные отверстия вырыты в нижней части модели, обращенной к рабочей пластине.

Когда вы создаете полость в своей модели, вы можете выбрать толщину ее стенок. Это просто определяет, какой толщины будут стенки вашей модели, когда она будет выдолблена, что означает прочность.

С другой стороны, дренажные отверстия имеют определенный размер и глубину.Исходя из толщины стенки, вы хотите, чтобы отверстие было глубже, чем толщина стенки, чтобы оно легко проходило через него.

Это позволит вашим дренажным отверстиям достичь внутренней части вашей модели, а не остаться на полпути. Изображение, приведенное ниже, является хорошим примером того, что даже несмотря на то, что модель полая, дренажное отверстие все же требует большей глубины, чтобы пройти во внутреннюю область.

Черная часть с маленькими белыми точками представляет полую часть, а единственный черный кружок — дренажное отверстие.

Вот еще один пример, где вы можете увидеть дренажное отверстие, аккуратно расположенное на руке Халка. Черная полая часть — это место, где смола может застрять, поэтому мы будем использовать дренажные отверстия, чтобы слить смолу.

Если вас беспокоят дренажные отверстия, которые портят внешний вид вашей модели, вы также можете добавить их в дизайн самой модели, чтобы она не выглядела слишком заметной.

Личи ломтерезка имеет цилиндрическую и кубическую форму дренажного отверстия, из которых вы можете выбирать, в зависимости от того, что больше подходит для вашей модели.

Я попытался использовать форму Куба для модели Халка и обнаружил, что она автоматически помещается в отверстие.

Имейте в виду, что смола может застрять там, где стены закрываются в определенных местах. В модели Халка смола может попасть в каждую конечность, а затем и в основное тело.

Чтобы этого не происходило, вы можете уменьшить толщину стенок при вырубке модели, чтобы уменьшить застревание смолы. Это может дать достаточно места для соединения с остальной частью основной модели, чтобы слить смолу.

Такое большое количество дренажных отверстий не всегда необходимо, но определенно помогает легче слить смолу, если вы можете добавить ее, не уменьшая эстетический вид вашей модели.

В следующем видео показано, как вырыть дренажные отверстия в модели с помощью слайсера Lychee.

Как копать отверстия в отпечатках из смолы в PrusaSlicer

Чтобы выкопать отверстие в отпечатках из смолы в PrusaSlicer, перейдите на левую панель инструментов и нажмите «Вытолбить и просверлить [H]», включить полость, затем просто выбрать место, где вы хотите разместить дренажные отверстия на вашей модели.Вы также можете настроить важные параметры, такие как диаметр отверстия и глубину отверстия, по своему желанию.

Добавить дренажные отверстия в PrusaSlicer легко и просто. Вы можете копать дыры в отпечатках из смолы, даже не установив флажок «Сделать выдолбленный объект» в слайсере, хотя я рекомендую сначала выдолбить отпечатки.

PrusaSlicer по умолчанию устанавливает диаметр отверстия 4 мм, что является хорошим размером для стекания неотвержденной смолы. Однако вы всегда можете изменить это значение в зависимости от размера вашей модели и толщины стены.

Вот как выглядят дренажные отверстия, вставленные в модель. Когда вы добавляете отверстия, вы также можете щелкнуть и перетащить их, если хотите изменить их положение.

Убедитесь, что глубина отверстия больше толщины стенки детали, иначе дренажные отверстия просто не войдут в вашу модель в PrusaSlicer.

Как копать отверстия в отпечатках из смолы в слайсере ChiTuBox

Чтобы выкопать ямы в отпечатках из смолы в слайсере ChiTuBox, вам сначала нужно выдолбить свою модель, выбрав «Пустота» на панели инструментов выше, а затем просто щелкнуть кнопку «Копать отверстие» рядом с «Пустотелый».”Это вызывает меню, в котором вы можете копать ямы и легко регулировать их форму, размер и глубину.

Выкопать ямы в слайсере ChiTuBox также просто. На следующем снимке экрана показано, где щелкнуть, чтобы открыть меню «Копать яму».

Сначала вам нужно выдолбить свою модель, иначе слайсер не сможет вырыть ямы за вас. Он покажет вам сообщение об ошибке: «Ошибка! Не выдолбленный и не слишком глубокий, чтобы копать ».

Выдолбить ваши модели в слайсере ChiTuBox очень просто.Вам просто нужно нажать кнопку «Полый», установить толщину стены и нажать «Начать», чтобы начать выдолбление. После этого вы сможете добавить дренажные отверстия.

ChiTuBox позволяет выбирать одну из трех форм при копании ям: круг, шестиугольник и квадрат, в зависимости от того, что вы хотите использовать для своей модели.

Что касается размера отверстия, то для большинства людей подходит диапазон от 2 до 3 мм. Если вы хотите напечатать отверстия меньшего размера, вам придется использовать метод проб и ошибок, чтобы увидеть, какое значение хорошо работает с точки зрения качества печати и очистки внутренней части модели от смолы.

Вы не хотите, чтобы отверстия были слишком маленькими, потому что смола может быть довольно толстой, что приведет к невозможности вытекания из отверстий. Если это все же произойдет с вами, вы можете попробовать просверлить отверстия.

В меню «Копать яму» вы также можете выбрать, оставлять ямы или нет. Этот параметр просто откладывает крышки отверстий на рабочей пластине, чтобы их можно было напечатать, и вы могли использовать их для заполнения отверстий позже.

Вот как это выглядит, когда вы выкапываете ямы в модели с помощью слайсера ChiTuBox.

Вот межслойный вид дренажных ям, вырытых на дне Грута.

Следующее видео представляет собой учебное пособие, в котором объясняется, как копать ямы для вашей модели в программном обеспечении слайсера ChiTuBox. Определенно стоит посмотреть, чтобы получить наглядное представление об этой концепции.

Где вы должны копать дыры в отпечатках из смолы?

Выкапывание отверстий в отпечатках из смолы в их самой нижней точке или рядом с печатным столом — вот что обычно дает наилучшие результаты.Однако вы можете разместить дренажные отверстия в любом месте, где, по вашему мнению, может застрять неотвержденная смола. Вы также можете разместить ямы для выкапывания там, где в самой модели есть отверстия или зазоры, чтобы совместить их.

Ориентация детали и дренажные отверстия тесно связаны друг с другом. Когда вы делаете модели из смолы, иногда вы их поворачиваете, чтобы модель поддерживала себя.

Правильная ориентация детали и стратегическое добавление дренажных отверстий — лучший способ делать 3D-отпечатки из смолы. Вы также можете попытаться избежать множественных отрицательных выступов для достижения лучших результатов.

Кроме того, очень важно выкопать два или более дренажных отверстия, чтобы неотвержденная смола могла вымыться и давление внутри модели могло быть сброшено.

В сообществе 3D-печати SLA ведется много споров о том, следует ли размещать дренажные отверстия в верхней части модели.

Хотя это определенно возможно, очень небольшое количество смолы может попасть в верхнюю часть модели. Выкопать яму будет бесполезно, так как это может испортить окончательный вид вашей модели.

Если вы разместите два или более дренажных отверстия в нижней части модели, вы сможете легко слить неотвержденную смолу, погрузив деталь в изопропиловый спирт или теплую воду, чтобы заполнить ее, встряхнуть, а затем вылить смолу. остается вне.

Самый лучший метод очистки обычно включает ультразвуковую очистку или машину Wash & Cure.

Простым выбором в качестве ультразвукового очистителя является профессиональный ультразвуковой очиститель Magnasonic от Amazon. Он генерирует ультразвуковые волны частотой 42000 Гц для мощной, но бережной очистки.Это отлично подходит для многих пользователей 3D-принтеров из смолы.

Я написал статью под названием «6 лучших ультразвуковых чистящих средств для ваших 3D-отпечатков из смолы — легкая очистка», которая может оказаться полезной для очистки ваших отпечатков.

Что касается машины для стирки и отверждения, это стиральная и отверждающая машина Elegoo Mercury Plus 2-в-1 от Amazon. Вы можете наполнить ведро для стирки хорошим чистящим раствором, например изопропиловым спиртом, поместить детали в металлическое ситечко, а затем активировать ток для стирки.

В зависимости от вашей машины, он может удерживать рабочий стол прямо на машине для стирки ваших моделей.

Он отлично справляется со стиркой, а также может использоваться в качестве вулканизирующей машины, что прекрасно.

Я сделал обзор средства для стирки и отверждения Elegoo Mercury Plus 2-In-One Wash & Cure, так что не стесняйтесь проверить это, прежде чем приобретать его для себя.

Следующее видео является хорошим объяснением того, почему дренажные отверстия, выкопанные в верхней части вашей модели, в большинстве случаев неверны.

Я рекомендую выкопать ямы внизу или близко к низу вашей модели для достижения наилучших результатов.

Загрузите бесплатно файл STL для ловушки волос для душевых желобов диаметром 42 мм • Модель для 3D-печати ・ Cults

Творческое качество: 0,0 / 5 (0 голосов)

Оценка участников по пригодности для печати, полезности, уровню детализации и т. Д.

Ваш рейтинг: 0/5 Удалить

Ваш рейтинг: 0/5

• 72 Просмотры
• 0 нравится
• 2 загрузки

Описание 3D модели

Подходит для водостоков диаметром 42 мм.ТПУ рекомендуется для плотной посадки.

Настройки 3D-печати

Информация о файле 3D-принтера

• Формат 3D-дизайна : STL Детали папки Закрывать

  Подробнее о форматах

• Размер 3D модели : X 42 × Y 42 × Z 5 мм
• Дата публикации : 2021.10.08 в 01:16

Лицензия

CCBY

Теги

Создатель

Бестселлеры категории Дом

Хотели бы вы поддержать культы?

Вы любите Культы и хотите помочь нам продолжить приключение самостоятельно ? Обратите внимание, что мы небольшая команда из 3 человек , поэтому очень просто поддержать нас поддерживать активность и создавать будущие разработки .Вот 4 решения, доступные всем:

• РЕКЛАМА: Отключите блокировщик баннеров AdBlock и нажимайте на наши рекламные баннеры.

• ПРИСОЕДИНЕНИЕ: Делайте покупки в Интернете, нажимая на наши партнерские ссылки здесь Amazon или Aliexpress.

• ПОЖЕРТВОВАТЬ: Если хотите, вы можете сделать пожертвование через PayPal здесь.

• СЛОВО РОТА: Пригласите своих друзей прийти, откройте для себя платформу и великолепные 3D-файлы, которыми поделились сообщество!

2D / 3D чертежи САПР | REVIT, STEP, DWG, DWF, ACIS, JPG, PDF-форматы из BLUCHER

Предварительный просмотр и загрузка файлов 3dCad и 2dCad в различных отраслевых форматах, включая Revit, stp, dwg, jpeg, pdf и т. Д.

Загрузите все доступные чертежи САПР BLÜCHER в один файл, щелкнув ссылки ниже, или загрузите конкретные чертежи, щелкнув название серии из списка ниже.

Примечание. Для открытия связанных файлов требуется программное обеспечение .zip.

Заявление об ограничении ответственности: Размеры продукта BLÜCHER в обычных и метрических единицах США являются приблизительными и приводятся только для справки. Для точных измерений обратитесь в службу технической поддержки BLÜCHER.BLÜCHER оставляет за собой право изменять или модифицировать дизайн, конструкцию, технические характеристики или материалы продукта. без предварительного уведомления и без каких-либо обязательств по внесению таких изменений и модификаций в продукты BLÜCHER, ранее или впоследствии проданные.

alexxlab Автор записи